加热腔室32的主要功能是给载板和电池片加热，将衬底1温度加热到镀膜工艺所需的温度100℃；

在工艺腔室33完成衬底1的正面镀膜，形成正面tco薄膜21，如图5所示，工艺腔室33从进口至出口分成1至8号八个位置，八个位置呈线性排列，并且该八个位置与链式pvd设备的载板相垂直，链式pvd设备的载板的传送方向如图中箭头所示，

工艺腔室33和第二工艺腔室34内的环境相同，温度为100℃，通入的工艺气体为氢气和氩气的混合气体，氢气和氩气的体积比为5:100；工艺腔压力为3pa，电池片到靶材的直线距离为40mm，链式pvd设备中传送带的传输速度为80mm/min，工艺结束后生长形成的正面tco薄膜21和背面tco薄膜22的厚度均为120nm。

作为本实施例的变换，hjt太阳能电池衬底的结构也可以是由上至下设置的p型非晶硅层14、本征非晶硅层12、单晶硅衬底层11、本征非晶硅层12和n型非晶硅层13，薄膜太阳能电池吸收层改性方法，具体步骤如下：（1）利用铜粉、锌粉、锡粉、硒粉和硫粉制备cztsse前驱体溶液及其薄膜，将cztsse前驱体薄膜硒化处理，制得cztsse吸收层薄膜；（2）使用热蒸发法在步骤（1）制备得到的cztsse吸收层薄膜上热蒸一层gese2。

其中单晶硅衬底层11的厚度为150um，两侧的本征非晶硅层12的厚度为1nm，n型非晶硅层13和p型非晶硅层14的厚度均为6nm；

铜锌锡硫薄膜太阳能电池是以多晶cu2znsn(s,se)4(cztsse)半导体薄膜为吸收层的太阳电池。典型的cztsse电池结构如附图1所示，包括钠钙玻璃衬底、mo背电极、cztsse吸收层、cds缓冲层、本征zno和al掺杂zno窗口层

工艺腔室33与第二工艺腔室34可以互换，即工艺腔室33靶材摆放在腔体底部，给hjt电池衬底背面镀膜，第二工艺腔室34靶材摆放在腔体上部，给hjt电池正面镀膜。

薄膜太阳能电池吸收层改性方法，解决了目前cztsse吸收层薄膜中存在很多复杂的本征缺陷和缺陷簇的问题。

两种不同的氧化态，致使在制备的cztsse吸收层薄膜中存在很多复杂的本征缺陷和缺陷簇。其中的有害电子缺陷会导致cztsse薄膜带隙和静电势的波动，缩短少子的寿命及严重的体相和界面复合，严重影响了cztsse光伏器件的开路电压。对cztsse吸收层薄膜进行后处理改性可以有效钝化这些不良缺陷，提高器件的光电性能。