涂布于经预先烘干的基板的LaNiO3薄膜形成用液体组合物包含LaNiO3前驱体、有 机溶剂及稳定剂。并且，相对于LaNiO3前驱体、有机溶剂及稳定剂的总计100质量％而言， LaNiO3前驱体的混合比例以氧化物换算为1~20质量％，优选为3~15质量％。并且，相对于 LaNiO3前驱体的总量1摩尔而言，稳定剂的混合比例超过0摩尔且为10摩尔以下，优选为2~ 8摩尔。

在与实施例1相同的Pt基板上进行5分钟 预先烘干之后，冷却Pt基板，立即通过TDS法测定吸附于Pt基板表面的分子种类。另一方面， 以与上述相同的条件对上述Pt基板进行预先烘干，无需放置于大气中，而立即将Pt基板移 动到旋转涂布机上，在Pt基板上旋涂表1所示的组合物No. 2。接着，与实施例1同样地，进行 干燥、临时烧结及烧成而形成LaNiO3薄膜。

即薄膜电容器、电容器、IPD、 DRAM存储用电容器、层叠电容器、铁电存储器用电容器、热释电型红外线检测元件、压电元 件、电光元件、致动器、谐振器、超声波马达、电气开关、光学开关或LC噪声滤波器元件等复 合电子组件等器件中的电极制造。

一种LaNiO3薄膜的形成方法，其包括： 在被Pt电极包覆的基板中，在将吸附于每Icm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分 别设为I. 〇 X 10-1Qg以下、2.7 X 10-1Qg以下、4.2 X 10-1Qg以下的状态下，将LaNiO3薄膜形成用 液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序；临时烧结所述涂膜的工 序;及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO 3薄膜的工序。2. 根据权利要求1所述的LaNiO3薄膜的形成方法，其中， 所述LaNiO3薄膜形成用液体组合物包含选自羧酸、醇、酯、酮类、醚类、环烷烃类及芳香 族系化合物中的一种或两种以上的有机溶剂。3. 根据权利要求1所述的LaNiO3薄膜的形成方法，其中， 所述LaNi〇3薄膜形成用液体组合物包含无机金属化合物和/或有机金属化合物，所述无 机金属化合物为硝酸盐或氯化物，所述有机金属化合物为羧酸盐、二酮或醇盐。4. 根据权利要求3所述的LaNiO3薄膜的形成方法，所述氯化物为氯化镧或氯化镍，所述羧酸盐为乙酸镧、 乙酸镍、2-乙基己酸镧或2-乙基己酸镍，所述β-二酮为乙酰丙酮镧或乙酰丙酮镍，所述醇盐 为异丙醇镧。5. 根据权利要求2所述的LaNiO3薄膜的形成方法，其中， 所述有机溶剂包含选自乙酸、2-乙基己酸、乙二醇单丙基醚、乙二醇单异丙基醚、3-甲 氧基-1-丁醇及乙醇中的一种单一溶剂或两种以上的混合溶剂。6. -种器件的制造方法，所述器件在电极中具有通过权利要求1至5中任一项所述的方 法而形成的LaNiO3薄膜，其中， 所述器件为薄膜电容器、电容器、集成无源器件、DRAM存储用电容器、层叠电容器、铁电 存储器用电容器、热释电型红外线检测元件、压电元件、电光元件、致动器、谐振器、超声波 马达、电气开关、光学开关或LC噪声滤波器元件的复合电子组件。7. 根据权利要求6所述的器件的制造方法，其中， 所述LaNiO3薄膜为形成于所述电极的介质层的结晶取向性控制层。