独山子聚丙烯TF1007三元共聚CPP薄膜

将单晶硅衬底依次用丙酮、无水乙醇和去离子水在超声波中各清洗10min，热风吹风机吹干后，置于真空腔体内，对腔室抽真空，使真空度为2.0×10-5mtorr。打开气体阀门，通入乙炔和氩气，乙炔的流量为10sccm，氩气的流量为70sccm，控制直流磁控溅射的工作电流为0.7a，工作气体压强为4.3mtorr，沉积25分钟，得到cu掺杂碳基薄膜，厚度为450nm。所得到的碳基薄膜的表层cu原子百分含量为0.98at.％，底层cu原子百分含量为12.88at.％，如图1所示，自发形成了表层为富碳层，底层为富金属层，金属元素的浓度分布从碳基薄膜的表层至底层逐渐增加的梯度分层结构。

选择市面上购买的纯度为99.95％的cu单质金属靶材，含碳气体选择高纯乙炔气体。将单晶硅衬底依次用丙酮、无水乙醇和去离子水在超声波中各清洗10min，热风吹风机吹干后，置于真空腔体内，对腔室抽真空，使真空度为2.0×10-5mtorr。打开气体阀门，通入乙炔和氩气，乙炔的流量为20sccm，氩气的流量为65sccm，控制直流磁控溅射的工作电流为0.7a，工作气体压强为4.6mtorr，沉积30分钟，得到cu掺杂碳基薄膜，厚度为510nm。所得到的碳基薄膜的表层cu原子百分含量为0.37at.％，底层cu原子百分含量为3.58at.％，自发形成了表层为富碳层，底层为富金属层，金属元素的浓度分布从碳基薄膜的表层至底层逐渐增加的梯度分层结构。

含碳气体选择高纯甲烷气体。将单晶硅衬底依次用丙酮、无水乙醇和去离子水在超声波中各清洗10min，热风吹风机吹干后，置于真空腔体内，对腔室抽真空，使真空度为2.0×10-5mtorr。打开气体阀门，通入甲烷和氩气，甲烷的流量为12sccm，氩气的流量为60sccm，控制射频磁控溅射的工作电流为1.8a，工作气体压强为4.1mtorr，沉积30分钟，得到cr掺杂碳基薄膜，厚度为430nm。所得到的碳基薄膜的表层cr原子百分含量为0.27at.％，底层cr原子百分含量为10.18at.％，如图2所示，自发形成了表层为富碳层，底层为富金属层，金属元素的浓度分布从碳基薄膜的表层至底层逐渐增加的梯度分层结构。