独山子聚苯乙烯HIE-1高抗冲聚苯乙烯

随着信息和微电子工业的飞速发展，半导体器件微型化、集成化、智能化、高频化的应用需求快速增加。越来越多的电子元器件，如介质基板、介质天线、动态随机存储器、嵌入式薄膜电容等，既要求介质材料具备优异的介电性能，又要求其具备良好的力学性能和加工性能。

传统的无机压电陶瓷具有高介电常数和较高的稳定性，但其脆性大、加工温度较高，与目前的电路集成加工技术相容性差等缺点限制了它的应用。

近年来，类钙钛矿结构的钛酸铜钙(cacu3ti4o12，ccto)材料受到了研究者们的广泛关注。ccto是一种具有体心立方类钙钛矿结构的氧化物。ccto具有超高的介电常数(～104)，且其介电常数有着良好的频率稳定性和温度稳定性。另外不同于batio3等铁电材料在居里点存在相变，在100～600k的温度范围内，在ccto中没有观察到任何相变。此外，ccto还有很好的非线性电流-电压特性。ccto如此多优异的特性使其可以应用在电容器、气体探测器、光致发光器件、阻变存储器等诸多领域。

目前研究较多的是ccto粉料的合成工艺和ccto陶瓷材料的性能改进。但在实际应用中，介电薄膜更适合用于制备各种电学器件。虽然外延单晶ccto薄膜已经被报道成功生长在mgo、laalo3等氧化物单晶衬底上，多晶ccto薄膜也被报道成功生长在镀铂的硅片上，且纯无机ccto薄膜的介电常数高。但是纯无机ccto薄膜的介电损耗较高，击穿电压低，且脆性大，结构强度偏低，这导致其可加工性差，离实际应用还有很大差距。