大庆石化ABS750A高抗冲级注塑

提供一种薄膜应力的消除方法。该方法采用退火热处理方式和退火热处理后压应力层和张应力层交替沉积的方式对多层薄膜应力进行调控，经过一系列研究，终得到光学性能良好、低应力状态的多层膜系，得到的光学元件光学性能满足应用要求，元件变形量极低。

本发明首先采用离子束溅射技术在光学元件上分别沉积高/低折射率材料的单层薄膜，并分别对高/低折射率的单层薄膜进行退火热处理，再利用退火热处理之后高/低折射率材料不同的应力特性，采用交替沉积的方式对应力进行调控。

进行退火热处理工艺时，控制退火热处理的工艺参数为退火，退火次数，退火时间，升温速率。

退火热处理中，原子主要靠晶格振动而相互交换能量，处于畸变位置的一些原子，可能恢复到正常状态。因而薄膜内应力有所减小；经过退火热处理之后，低折射率薄膜应力仍维持在原应力状态，而高折射薄膜的应力性质会发生改变，与低折射率薄膜的应力性质相反，产生的作用力会互相抵消，采用退火热处理方式和退火热处理后压应力层和张应力层交替沉积的方式相结合对离子束溅射技术制备的多层薄膜进行应力调控，相比于镀膜前，光学元件面形精度在退火热处理后不会产生变化或只产生微小变化，实现了薄膜应力的控制，解决了光学元件保形困难的问题。

单层膜应力特性求解，其具体过程为:基片处理；在镀膜前，测量基片表面的面形精度，采用双离子束溅射的方法于基片表面制备高折射率和/或低折射率薄膜，调节镀膜工艺参数，其中包括离子源束流、束压、沉积温度，氧流量等，在镀膜完成后，再次测量基片表面的面形精度，计算出镀膜前后基片的面形变化，带入stoney公式，求解单层膜应力。