目前的薄膜半导体材料主要有，硅(si)、氧化物(oxide)和其他新型材料。其中，oxide半导体材料的迁移率一般在几十以内，勉强可以对应低分辨率电流型器件的需求，而si材料主要是非晶硅和低温多晶硅。现阶段的低温多晶硅的迁移率小于1，而无法应用于电流型器件，仅能应用在小尺寸的电流型器件，例如oled或者microled，当分辨率进一步提升或者尺寸增大时，也难以对应。为此非常有必要继续开发高迁移率薄膜技术。只有单晶硅才希望将迁移率提升到几百到上千的水平，但是大部分是体材料的单晶硅，提出一种在硅衬底上制作出单晶硅薄膜的方法，将预先离子注入的一个硅片与另一个预先热氧化后的硅片进行键合，键合后再对两个硅片进行退火处理，由于注入的离子结合后会形成气体，可使离子注入层与硅片剥离开，从而可在玻璃、聚酰亚胺等材料的衬底上形成单晶硅薄膜。

制备pva基膜所用的pva一般为完全醇解型的pva，其分子中含有丰富的羟基，极易形成分子内或分子间氢键，使得pva分子刚性较高，制得的pva基膜容易发脆、柔韧性较差，因此在制备过程中或在下游用于加工成偏光片的过程中薄膜表面容易出现微小裂纹，导致产品的使用性能下降，无法满足要求。特别是目前pva基膜的宽幅不断变宽，约为5米及以上；厚度不断变薄，约为60μm及以下；收卷长度不断增加，约为1万米及以上，这对pva基膜的柔韧性、脆性和硬度也要求更高，因此pva薄膜在制作过程或下游应用过程中出现的上述缺陷的问题也尤为突出。