PP 呼和浩特聚丙烯LI28F

一种半导体结构的结构示意图，包括半导体衬底1和沉积在所述半导体衬底1上的PETEOS薄膜2,所述PETEOS薄膜2为以上所述改善PETEOS薄膜缺陷的方法制备而成的PETEOS薄膜2。在一个优选的实施例中，所述半导体结构使用在半导体存储芯片中，且用于核心存储或读写缓冲。半导体存储芯片按照功能主要划分为三个区域，分别为：外部电路控制区(简称为Peripheral ciruitry)、读写缓冲区(简称为page buffer)和核心存储区(简称为core array)，page buffer区和core array区对PETEOS薄膜质量要求较高，PETEOS薄膜表面缺陷太多会导致存储芯片失效，本进一步技术方案中，在所述page buffer区和core array区采用经等离子体处理后的PETEOS薄膜，减少了表面小丘缺陷，满足core array区和/或page buffer区对PETEOS薄膜的质量要求。

可以增加PETEOS薄膜表面活性,降低PETEOS薄膜表面的氢键含量，从而改善PETEOS薄膜表面小丘缺陷。

进一步，所述第二反应气体为氮气、氦气和氩气的任意一种或者多种组合。

采用上述进一步方案的有益效果：本进一步技术方案采用氮气、氦气和氩气的任意一种或者多种组合作为第二反应气体，通过控制第二反应气体的流量来控制等离子体的强度和范围，并调节腔体内压强，达到去除PETEOS薄膜表面的小丘缺陷目的。

进一步，步骤2中，工艺腔室内压力范围为1torr～15torr，工艺腔室中射频源的射频功率范围为200W～1000W，工艺腔室内温度范围为200℃～600℃，反应气体的流量范围为100sccm～12000sccm，第二反应气体的流量范围为100sccm～10000sccm，等离子体处理的工艺时间范围为2s～20s。

采用上述进一步方案的有益效果是：本进一步技术方案中，所述反应气体为氧气或者臭氧，所述第二反应气体为氮气、氦气和氩气的任意一种或者多种组合，所述工艺腔室内压力范围为1torr～15torr，比如3torr、5torr、7torr、10torr或12torr等；工艺腔室中射频源的射频功率范围为200W～1000W，例如，射频功率为100W、200W、350W、500W、790W或者850W等；工艺腔室内温度范围为200℃～600℃，例如腔体温度为300℃、400℃或500℃等；所述反应气体的流量范围为100sccm～12000sccm，比如1000sccm、3000sccm、6000sccm、8000sccm等等；所述第二反应气体的流量范围为100sccm～10000sccm，比如1000sccm、3000sccm、6000sccm或8000sccm；所述等离子体处理的工艺时间为2s～20s，例如工艺时间为3s、5s、8s或15s等。采用上述工艺参数，可以进一步降低PETEOS薄膜表面氢键含量，使PETEOS薄膜表面小丘缺陷更少。

向所述半导体衬底所在的工艺腔室内通入反应气体和第二反应气体，对反应气体和第二反应气体的混合气体进行激发形成等离子体，利用所述等离子体对PETEOS薄膜的上表面进行等离子体处理；所述反应气体为氧化性气体，所述第二反应气体为惰性气体或氮气。本发明在PETEOS薄膜远离所述半导体衬底的表面进行等离子体处理，可增加薄膜表面活性，有效降低薄膜表面氢键含量，从而改善薄膜表面小丘缺陷，满足现有双重曝光工艺技术节点要求。

单晶块材逐渐向单晶薄膜发展，而离子注入剥离技术制备虽然可以制备各种取向的单晶薄膜，但高能离子在射程末端发生散射作用而使得薄膜表面存在具备一定粗糙度的表面损伤层，导致了单晶薄膜的单晶质量和器件性能的衰退。此外，单晶薄膜的表面状态又对图形化器件的制备至关重要，甚至会影响器件的性能。

目前可通过退火、刻蚀等多种方法恢复或去除表面损伤层。退火只能修复大部分的损伤结构，而感应耦合等离子体(inductivelycoupleplasma，icp)刻蚀虽能完全去除损伤层，但物理化学反应会引入其他的副产物，从而进一步影响刻蚀过程的可控性。例如，cn108682626a为解决icp刻蚀过程出现的均匀性不好、表面不平坦、聚合物较多等问题提出一种含铝材料的icp刻蚀方法。此外，采用化学机械抛光等方法减薄时，存在减薄效率低、引入应力，过程不可控等问题。例如，cn109913938a公布了一种电解抛光去除表面损伤层的方法，可通过设置抛光时间来控制减薄过程，操作简单，但不能去除表面损伤层。而氩离子刻蚀虽能通过物理反应过程调控刻蚀过程，但刻蚀后的薄膜表面会存在氧空位缺陷。

目前的恢复或去除离子注入剥离技术制备的单晶薄膜表面损伤层的方法均存在各种缺陷，还没有一种相对更好的方法，这使得单晶薄膜的应用受限。