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薄膜水汽透过率(watervaportransmissionrate，wvtr)是评价薄膜封装主要的技术参数，高精度水汽透过率测试方法是研究封装薄膜性能的基础。目前，测试薄膜wvtr的方法主要有库仑电量法和放射性同位素示踪法。库仑电量法是利用库仑电量传感器进行检测，其测试精度为5×10－5g·m－2·d－1。放射性同位素示踪法的测量精度为2×10－7g·m－2·d－1，这种方法测试费用昂贵，采用的放射性物质有一定危险性，对设备和实验室条件要求比较苛刻，同时涉及到的实验参数多，难以控制。

通过原子层沉积方法在所述基板上沉积封装薄膜层，所述封装薄膜层覆盖所述钙薄膜层，获得待测薄膜器件；

采用开尔文四探针法对步骤s2获得的所述待测薄膜器件进行测试，获得所述待测薄膜器件中钙薄膜层的随时间t变化的电导率曲线，提取所述曲线线性部分的斜率：d(1/r)/dt，代入下式，得到所述待测薄膜器件的薄膜水汽透过率ηwvtr：

在保护气体下，通过原子层沉积方法在基板上沉积封装薄膜层，封装薄膜层覆盖钙薄膜层，获得待测薄膜器件。

待测薄膜器件具有三层结构，分别是基板、钙薄膜层和封装薄膜层。

本实施例中，保护气体为氮气。在氮气保护下，将蒸镀有钙薄膜层的基板转移到原子层沉积设备中；使用金属有机化合物和水作为前驱体，沉积封装薄膜层。封装薄膜层厚度可为20-1000nm，优选200nm。

优选的，金属有机化合物包括三甲基铝，将其和水作为前驱体，在钙薄膜层上沉积al2o3封装薄膜层。

n为测试25℃温度下水汽透过特征系数，n＝2.556×10-5m2/s；m(h2o)为水的摩尔质量，m(ca)为钙的摩尔质量，δ为钙电阻率，ρ为钙密度，l为钙薄膜层的长度，w为钙薄膜层的宽度。由上式可知，薄膜水汽透过率ηwvtr正比于d(1/r)/dt。

本发明中，将钙薄膜层作为测试传感器，测量其电阻与时间的变化率，以算出封装薄膜的水汽透过率。

其中，水汽透过率是表征封装薄膜对水汽阻挡效果的物理量，其定义是在一定的温度和湿度环境下，单位面积和时间内透过封装薄膜的水汽质量。瞬态水汽透过率(从测试开始到某个指定时间点t的时间段内，透过面积封装薄膜的总水汽质量)可表示为：

封装薄膜的ηwvtr正比于d(1/r)/dt，得到钙薄膜层电导变化随时间的关系曲线，即g-t曲线，拟合该曲线中的线性部分得出斜率d(1/r)/dt，代入式(4)即可求出ηwvtr。

具体地，步骤s3中，测试温度可为0-100℃，相对湿度可为10-100％。通过开尔文四探针装置对步骤s2获得的待测薄膜器件进行测试。

开尔文四探针装置的测试探针输出一根测试信号线，安插在转接板上。开尔文四探针每个测试探针点都有一条激励线和一条检测线，各自构成独立的检测线回路。在检测线回路中，设置极高的输入阻抗(10gω以上)，使流过检测线的电流近似为0，保证测试精度。此外，通过具有双探针的测试夹具，保证测试过程中有良好的欧姆接触，消除了测试初期电阻值的反常跳动，提高了测试的稳定性和准确性。

转接板通过d-sub50pin接口将测试数据传输给安装在数字源表(hioki-rm3545)上的多通道测试板卡；微电阻计的精度达到10－6ω。

数字源表通过两路rs232串口与上位机进行全双工通信。上位机对测试过程进行实时监控；当测试钙薄膜层完全腐蚀断开时，自动给上位机发送相关的指令，上位机接收到指令，停止采样，并对测试数据进行储存，完成测试。