PP 抚顺石化聚丙烯Z30S

PP 抚顺石化聚丙烯Z30S

提供的具有优异抗断裂性和拉伸性etfe薄膜，为通过在etfe树脂中共混其他类型的另一种聚合物树脂，增加聚合物的空间聚集态和链段缠绕，调控etfe薄膜的结晶度，改善其力学性能。其中另一种聚合物树脂的mfr至多为50g / 10min，确保两种树脂能够均匀地共混，且至少为20g / 10min，这样加入后可以明显改善膜的均匀拉伸性。根据本发明可以制造耐断裂性和均一的拉伸性优异的膜，可以解决在传递模塑法过程中脱模膜的形变问题，提高半导体封装质量和效率。

一种气相辅助沉积制备金属-有机框架薄膜的方法。所述方法是基于气相辅助沉积方法，其中，制备金属-有机框架所用的溶剂作为气相辅助溶液，利用气相辅助溶液在高温中挥发辅助金属-有机框架前驱体溶液制备得到金属-有机框架薄膜。采用所述方法可以有效地制备金属-有机框架薄膜，且制备得到的薄膜表面均匀，连续致密。

制备银纳米线透明导电薄膜的方法主要有旋涂、辊涂和卷对卷印刷等。这些方法能制备性能优异的薄膜，但是它们也存在一些固有的缺点。首先，要利用这几种方法得到均匀薄膜，衬底、机器和墨水必须完美匹配。对于特定的衬底和机器来说，通常只有一种墨水与它们有佳的匹配性。一旦衬底参数、机器参数有一点变化，人们就需要重新调整墨水的动力学性质。这是一个工程量非常大的工作。第二，因为目前人们还不能调配出性能优异的铜纳米线和金纳米线墨水，也就没法通过这几种方式加工出基于这两种纳米线的应用尺寸的透明导电薄膜。第三，这几种方法不能在弯曲或者凹陷的衬底上使用。为了解决这些问题，人们引入了静电纺丝的加工方法。静电纺丝通过高分子在高压下拉伸成丝，然后在衬底以收集的方式形成薄膜。因为是干丝收集，所以对于不同的机器、衬底可以使用同一种纺丝溶液。采用多针头模式，人们可以在弯曲或者凹陷的衬底上制备导电薄膜。纺丝溶液含有高分子，而高分子可以稳定铜纳米线和金纳米线，因而通过静电纺丝也可以制备金/铜纳米线透明导电薄膜。所以，利用静电纺丝制备透明导电薄膜是一个很有前景的方式。

在静电纺丝制备透明导电薄膜的过程中，人们的工作重点就在于如何避免高分子影响薄膜性能。但是目前人们还没有发现容易处理的高分子，这导致人们不得不采用复杂的制备过程或者使用高温来解决高分子的问题，而不能直接将银纳米线和高分子一起静电纺丝制备透明导电薄膜。为了解决这个问题，开发出在温和的条件下就能很容易除去的高分子就显得很有意义。

开发能在温和条件下即很容易除去的高分子是直接利用静电纺丝制备高性能透明导电薄膜的关键同时也是目前亟待解决的问题。

1、本发明通过静电纺丝仪制备均匀透明导电薄膜的方法以一种在温和条件下即可容易除去的聚氧化乙烯作为静电纺丝高分子，银纳米线和聚氧化乙烯直接静电纺丝制备透明导电薄膜；这种透明导电薄膜的制备方法相对于目前复杂的主流制备流程更加简单快速，真正使静电纺丝透明导电薄膜的工业生产成为可能，实现了透明导电薄膜的产业化制备。

2、本发明通过静电纺丝仪制备均匀透明导电薄膜的方法除了可以用于银纳米线透明导电薄膜的制备外，还可以用于金/铜纳米线透明导电薄膜的制备，具有很大的扩展性。

3、本发明通过静电纺丝仪制备均匀透明导电薄膜的方法除了可以在传统的平整衬底上制备导电薄膜外，还可以在凹凸不平或者弯曲的衬底上制备透明导电薄膜，这是目前常规手段很难实现的。

一种静电纺丝制备均匀透明导电薄膜的方法，包括以下生产步骤：

a、选取直径为70nm、长度在20μm的银纳米线0.1g为导电物质，选取2-氨基-2-甲基-1-丙醇0.1g为表面电荷调节剂，选取聚氧化乙烯(peo)(分子量为50000)0.5g作为高分子聚合物，选取水9.3g作为溶剂配制纺丝溶液；

称量纺丝溶液中这些组分的含量，将称量后的所有组分加入到玻璃瓶中，搅拌5分钟，得到稳定的纺丝溶液；

b、将配制好的纺丝溶液放入静电纺丝仪针筒中，将玻璃衬底放置在静电纺丝仪针头的正下方，静电纺丝仪加30kv的高压，并设置静电纺丝仪针筒推液的速度为0.5mm/min，静电纺丝的时间为20min，纺丝得到初始薄膜；

c、将得到的含有高分子的初始薄膜放置在热台上，以70℃的温度加热1分钟，使初始薄膜上的高分子聚合物融化，银纳米线下沉到玻璃界面并被玻璃固定住；

d、准备两个烧杯，分别装有足够量的乙醇和水并将其加热到55℃。先将初始薄膜放到水中浸泡1分钟，然后再放入乙醇中浸泡1分钟。取出透明导电薄膜，放入烘箱中，80℃下烘烤1分钟，获得终的透明导电薄膜。

经测试，该薄膜的方阻在53.9ω/□，透过率在87.1％(550nm处)，方阻均匀度在8.6％。

实施例2：

b、将配制好的纺丝溶液放入静电纺丝仪针筒中，将聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)衬底放置在静电纺丝仪针头的正下方，静电纺丝仪加30kv的高压，并设置静电纺丝仪针筒推液的速度为0.5mm/min，静电纺丝的时间为20min，纺丝得到初始薄膜；

c、将得到的含有高分子的初始薄膜放置在热台上，以70℃的温度加热1分钟，使初始薄膜上的高分子聚合物融化，银纳米线下沉到衬底界面并被衬底固定住；

选取直径为35nm、长度在15μm的银纳米线0.1g为导电物质，选取2-氨基-2-甲基-1-丙醇0.1g为表面电荷调节剂，选取聚氧化乙烯(peo)(分子量为50000)0.5g作为高分子聚合物，选取水9.3g作为溶剂配制纺丝溶液；

将配制好的纺丝溶液放入静电纺丝仪针筒中，将聚酰亚胺(pi)衬底放置在静电纺丝仪针头的正下方，静电纺丝仪加30kv的高压，并设置静电纺丝仪针筒推液的速度为0.5mm/min，静电纺丝的时间为20min，纺丝得到初始薄膜；

将得到的含有高分子的初始薄膜放置在热台上，以70℃的温度加热1分钟，使初始薄膜上的高分子聚合物融化，银纳米线下沉到衬底界面并被衬底固定住；

准备两个烧杯，分别装有足够量的乙醇和水并将其加热到55℃。先将初始薄膜放到水中浸泡1分钟，然后再放入乙醇中浸泡1分钟。取出透明导电薄膜，放入烘箱中，80℃下烘烤1分钟，获得终的透明导电薄膜。