HDPE 大庆石化聚乙烯DMDA-8920
HDPE 大庆石化聚乙烯DMDA-8920
一种透明导电薄膜的制备方法，包括基底清洗、涂覆PEDOT:PSS薄膜、烘干、涂覆改性液、二次加热、冷却检验步骤，所述透明基底为钠钙玻璃或者PET柔性材料，所述改性液由下列物质组成：3?环已胺基?2?羟基丙磺酸5～20 mg、二甲基亚砜0.1～0.2 ml、甲醇0.8～0.9ml，清洗采用的二次水为18兆欧的去离子水。本发明具有制备简单、原料成本低，易于工艺化生产等优点，所制得的透明导电薄膜电导率大大提高，可替代ITO导电薄膜，作为电极使用。
在新型光电器件如薄膜太阳电池、OLED等中使用的普遍的电极材料是氧化铟锡(ITO)，它是由90%的氧化铟与10%的氧化锡共同组成，但是不可忽视的是铟在地球上的储量比较少，价格昂贵，而且这种氧化导电薄膜柔韧性差，制备工艺所需成本高，其在光电器件的制备成本中要占据45%的能源消耗和50%的材料成本，这大幅度限制了 ITO在实际中的应用。因此，寻找替代ITO的透明电导材料是目前研究人员关注的一个热点问题。近年来，许多新型的导电材料被开发出来，例如导电聚合物、碳纳米管、石墨烯和金属纳米线等。而在这些材料中，导电聚合物PED0T:PSS由于其在可见光范围具有很高的透过率、容易湿法制备和柔韧性好等优点可以作为ITO的替代物之一。但是，由于PED0T:PSS薄膜是由绝缘的PSS与导电的PEDOT交联形成的，原始的PEDOT: PSS薄膜的电导率通常很低(低于IS.cm-1)，远比ITO的电导率(通常大于4000S.cm-1)小。因此，现有的PED0T:PSS薄膜在作为电极使用时受限。
1.原料采用有机聚合物和有机小分子，原料来源广泛，成本低廉，降低了透明导电薄膜的制备成本。
[0008]2.本发明所有制备过程均采用低温(不超过150摄氏度)溶液法制备，工艺要求简单，易于工业化生产，具有采用卷对卷大规模制
将玻璃或者PET基底切割成2cm X 2cm规格小片，置于去离子水、丙酮和异丙醇中分别超声清洗5分钟，然后放入60摄氏度真空干燥箱I小时，烘干。PED0T:PSS(CleV1S PH500)水溶液用0.45微米的聚二氟乙烯注射器过滤器过滤。清洗后的基底在紫外臭氧清洗机中处理10分钟，放入匀胶机，表面滴加100微升过滤的PEDOT: PSS，设定匀胶机转速1500转每分钟，60秒，得到PEDOT: PSS薄膜。然后在加热板上以150摄氏度加热处理20分钟。冷却至室温，放入匀胶机，将100微升改性液旋涂到PEDOT: PSS薄膜表面，改性液配方为:3-环已胺基-2-羟基丙磺酸10 mg、二甲基亚砜0.2 ml、甲醇0.8 ml，所述化学试剂均为分析纯，设定匀胶机800转每分钟，120秒，然后在加热板上以150摄氏度加热处理20分钟，转移至氮气保护环境下冷却至室温，得到技术参数如下的透明导电薄膜:
外观:薄膜表面平整，无花纹。
将玻璃或者PET基底切割成5cmX5cm规格，置于去离子水、丙酮和异丙醇中分别超声清洗10分钟，然后放入真空干燥箱(60摄氏度)1小时，烘干。PED0T:PSS(CleV1S PHlOOOhKS液用0.45微米的聚二氟乙烯注射器过滤器过滤。清洗后的基底在紫外臭氧清洗机中处理10分钟，放入刮膜机，底部固定，在基底刮刀一侧滴加200微升过滤的PEDOT: PSS，设定刮膜机速度10 cm/min，得到PED0T:PSS薄膜。然后在加热板上以150摄氏度加热处理20分钟。冷却至室温，放入刮膜机，底部固定，将200微升改性液刮涂到PEDOT: PSS薄膜表面，改性液配方为:3_环已胺基-2-羟基丙磺酸15 mg、二甲基亚砜0.1 ml、甲醇0.9 ml，所述化学试剂均为分析纯，设定刮膜机速度5 cm/min(3?10 cm/min)，然后在加热板上以150摄氏度加热处理20分钟，转移至氮气保护环境下冷却至室温。
1.一种透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤: 步骤1、基底清洗:选择透明基底，分别在二次水、丙酮、异丙醇中超声清洗，每次超声清洗5?15分钟，然后在真空烘箱中干燥； 步骤2、次涂覆:清洗过的透明基底进行紫外臭氧处理5?10分钟，然后在该透明基底表面旋涂或刮涂一层80?100纳米厚的PEDOT: PSS薄膜； 步骤3、烘干:将步骤2涂覆的PED0T:PSS薄膜在加热台上，以150摄氏度加热10?30分钟； 步骤4、第二次涂覆:在加热后的PEDOT: PSS薄膜表面，旋涂或刮涂改性液，厚度为1?30纳米; 步骤5、二次加热:将涂覆改性液的PED0T:PSS薄膜在加热台上加热，以150摄氏度加热20分钟; 步骤6、冷却检验:将二次加热后的PEDOT: PSS薄膜冷却至室温，并将其转移至氮气保护气氛中检验； 其特征在于:所述透明基底为钠钙玻璃或者PET柔性材料，所述改性液由下列物质组成:3_环已胺基-2-轻基丙磺酸5?20 mg、二甲基亚砜0.1?0.2 ml、甲醇0.8?0.9ml，所述二次水为18兆欧的去离子水。2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于:所述透明基底的透光率大于85%。3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于:所述PED0T:PSS薄膜的型号为Clev1s PH 500或者Clev1s PH 1000。4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于:制备100纳米以上的透明导电薄膜，
