HIPS 盘锦石化聚苯乙烯825
HIPS 盘锦石化聚苯乙烯825
采用具有立体阵列结构的薄膜能实现远远高于平面结构薄膜敏感度以及较快的感应速度，并且在微小压力的感知方面体现出了良好的特性。而在薄膜传感器的柔韧性方面，考虑到薄膜的机械性能和对压力的敏感性等因素，常用基底材料有pdms(聚二甲基硅氧烷)、pvdf(聚偏氟乙烯)、pi(聚酰亚胺)等高分子材料。薄膜是一种宽带隙氧化物半导体材料，它同时具备了良好的透明性和导电性。这种材料已经被广泛地应用到显示器、触摸板、led发光器件、太阳能电池和晶体管等器件上。在众多的透明导电氧化物中，氧化铟锌(izo)薄膜具有高的迁移率和透过率被得到广泛研究。即使在非晶态也能保持很高的迁移率，这对薄膜在光电器件中的应用有很大帮助，能够有效的应用到柔性器件中。但是非晶izo薄膜价带顶以上存在着大量的深能级缺陷，这些缺陷的存在会严重影响薄膜的光电性能，将ga元素掺杂在izo薄膜中，能够有效降低深能级缺陷，从而提高薄膜的迁移率。
薄膜的制备包括：磁控溅射、脉冲激光沉积、真空蒸发和溶胶-凝胶法。每种制备方法都有各自的优缺点，磁控溅射镀膜沉积速率快、薄膜致密度高以及均匀性好被广泛使用，但是制备氧化物薄膜时通常需要对基底加热，对薄膜进行热退火处理，从而提高薄膜的性能，然而进行大面积溅射时，在溅射镀膜设备中对每个样品台添加大型退火设备价格昂贵，然而在大气环境下退火处理时，大气中的水分会严重薄膜的质量，因此为了提高薄膜质量以及降低镀膜成本，需要对上述方法进行改善。
提供一种高迁移率、高透光igzo薄膜的制备方法及其应用，其采用磁控溅射设备在常温下溅射igzo薄膜，通过调节溅射功率和氧气和氩气比，同时增加了干燥空气条件下退火处理过程，且在降低薄膜制备成本的同时，能够有效提高薄膜的透过率和迁移率。在光学薄膜材料中，可用在长波红外的低折射率材料一般为氟化物，但是氟化锶、氟化钡、氟化钙等镀膜材料致密度差，且易吸潮。氟化钍(ThF4) 在0.35μm～12μm范围内具有良好的光学性能，而且基本上没有吸潮、吸收非常低、激光阈值比较高，适合做中远红外激光薄膜的低折射率材料。
