ABS天津大沽DG-417 新塑世纪

光在透过不同的薄膜介质时会产生不同的折射，半结晶的bopet薄膜由于双向拉伸的原因，结晶结构无法保持稳定的不变形排列而会产生彩虹纹现象，而其他材料如pc，srf，tac和tpu因为分子结构则不会产生彩虹纹而影响透光效果。目前市面上具有较好的光透性的材料有pc，srf，tac和pet。但这些材料有不同的缺陷：pc是线性分子，没有光的取向性，相位差低，光的彩虹干涉低适合指纹识别灵敏度的要求。但pc硬度低（硬度<1h），在生产中表面容易划伤而影响透光效果。srf没有彩虹干涉，tg点较低，相位差高，对后加工位置有要求，材料没有结晶结构，材料软和不耐刮花，受热收缩变形大不好加工。tac优异的光学特性，但是不耐水，材料脆，表面处理与加工困难。因此，pc、srf、tac和普通pet均不适合单独地用作具有指纹解锁的手机保护膜。技术实现要素：本发明要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足，提供一种用于光感屏下指纹解锁的srf薄膜的制备方法，由该方法制得的srf薄膜其光学性能满足光感屏下指纹解锁的要求。

薄膜存在大量表面晶界和缺陷，电子与表面发生非弹性散射，造成电导率、霍耳系数、电流磁场效应的变化；薄膜的表面积与体积之比很大，表面效应明显，表面能、表面态、表面散射和表面干涉都会对薄膜物性产生影响。由于晶格畸变效应，高熵合金薄膜普遍具有较高的电阻率，但尚未达到非晶材料的水平，距离实际使用和工业化生产仍有一定距离。目前文献中报道的高熵合金及其薄膜的电阻率大多只有1～2μω.m甚至更低。在feconi(alsi)x高熵合金中将x的大小从0.3提高到0.8，即alsi元素的原子百分比从9.1％提高到21.1％，电阻率仅能从0.75μω.m增加到2.6μω.m左右。alcocrfeni高熵合金中铸态的材料的电阻率要高于退火态和冷加工后的材料，但电阻率高也只能达到2.2μω.m左右。掺入氧原子的alcocrcunife高熵合金薄膜的电阻率相对较高，根据氧含量和退火温度的不同在60～220μω.m之间变化，但仍难以达到实际应用的要求，且必须在磁控溅射过程中加入一定量的氧气，增加了工艺成本和危险系数。

随着器件集成化发展，由于受体积和尺寸的限制，单晶块材逐渐向单晶薄膜发展，而离子注入剥离技术制备虽然可以制备各种取向的单晶薄膜，但高能离子在射程末端发生散射作用而使得薄膜表面存在具备一定粗糙度的表面损伤层，导致了单晶薄膜的单晶质量和器件性能的衰退。

为解决现有离子注入剥离的单晶薄膜损伤层修复或去除方法效果不佳导致后续应用的问题，本发明提供了一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离的单晶薄膜，首先采用氩离子刻蚀去除表面损伤层后，再采取氧等离子清洗技术对薄膜进行表面处理，解决了氩离子刻蚀后因氧空位缺陷而使薄膜的浸润性改变的问题，便极大的改善了单晶薄膜的后续应用。