在所述pbbr2溶液进行成膜的过程中或者成膜后加入挥发性反溶剂，形成pbbr2·peg薄膜后进行退火处理，所述挥发性反溶剂与聚乙二醇互溶；一种cspbbr3薄膜的制备方法，采用无毒的peg和gbl作为混合溶剂溶解pbbr2，克服了现有制备cspbbr3钙钛矿薄膜依赖有毒溶剂溶解pbbr2的缺点，具有环境友好的优势，采用在pbbr2溶液进行成膜的过程中加入挥发性反溶剂后涂覆csbr溶液处理制备cspbbr3薄膜的方式能够制备出具有粗大平整的钙钛矿晶粒、覆盖完全、表面平整的高质量的cspbbr3薄膜，可以为后续钙钛矿大规模生产提供新的技术路线。

采用混合溶剂的策略，向peg中添加无毒的gbl调节混合溶剂的汉森溶度参数，进而有效溶解pbbr2形成均匀的溶液，gbl的加入也能够有效地调节混合溶剂的粘度，克服了由纯peg制备薄膜存在连续性差的缺陷，通过调节工艺参数，完全能满足基于cspbbr3薄膜各类器件对于厚度的要求。利用本发明的方法能够制备出高质量的cspbbr3薄膜，在太阳能电池、发光二极管、光电探测器、阻变存储器、随机激光发射器中具有较好的应用前景，本发明提供的制备方法具有环境友好、制备快速、操作简单的优点，为钙钛矿太阳能电池等器件的大规模工业化生产奠定了基础。(1)采用溶液旋涂法在fto基板上依次制备致密二氧化钛和多孔的二氧化钛薄膜作为电子传输层，形成fto/tio2基底。

(2)制备cspbbr3薄膜：首先取600μlpeg200和400μlgbl混合形成混合溶剂，将367mgpbbr2溶解在上述混合溶剂(gbl体积分数为40％)中，并在100℃加热搅拌形成浓度为1.0m的pbbr2的澄清溶液。取pbbr2溶液通过旋涂工艺在fto/tio2基底上形成连续薄膜，在成膜过程中，向fto/tio2基底中心滴加冰醋酸以抽取除去多余的peg和gbl形成pbbr2·peg薄膜，然后在60℃退火处理以提高其结晶性。然后，取csbr的水溶液(csbr的浓度为250mg/ml)旋涂至pbbr2·peg薄膜上，在250℃热处理10min形成cspbbr3薄膜。

(3)制备碳电极：通过丝网印刷工艺将碳浆料刮涂至cspbbr3钙钛矿薄膜上面，然后90℃退火处理以增加钙钛矿和碳电极的接触，从而获得一个完整的太阳能电池。

对步骤(2)中所得的cspbbr3薄膜进行表征，其扫描电镜照片如图10所示，结果表明，本实施例制得的cspbbr3薄膜具有较大的平均晶粒尺寸，且能够完整的覆盖整个基底。

将本实施例制得的太阳能电池在标准的太阳能模拟器照射，可获得优异的光伏性能，其短路电流密度jsc＝7.88ma/cm2，开路电压voc＝1.15v，填充因子ff＝0.691，光电转换效率pce＝6.23％。

对步骤(2)中所得的cspbbr3薄膜进行表征，其扫描电镜照片如图12所示，结果表明，在较强光照的辐射下，也能促使pbbr2和csbr反应，形成高质量的cspbbr3薄膜。

(1)采用溶液旋涂法在fto基板上依次制备致密二氧化钛和多孔的二氧化钛薄膜作为电子传输层，形成fto/tio2基底。

(2)制备cspbbr3薄膜：首先取600μlpeg200和400μlgbl混合形成混合溶剂，将367mgpbbr2溶解在上述混合溶剂(gbl体积分数为40％)中，并在100℃加热搅拌形成浓度为1.0m的pbbr2的澄清溶液。取pbbr2溶液通过旋涂工艺在fto/tio2基底上，然后在100℃退火30min。待冷却至室温后，取csbr的水溶液(csbr的浓度为250mg/ml)旋涂至pbbr2·peg薄膜上，然后在250退火30min形成cspbbr3薄膜。

采用将挥发性反溶剂添加在csbr的水溶液的方式来制备cspbbr3薄膜，由此获得的cspbbr3薄膜完全不连续且十分不均匀。这是因为前一步骤形成的薄膜中含有大量的peg，其粘度较大，在溶剂作用下，会随机分布，从而降低了薄膜的均匀性。