HDPE 独山子石化聚乙烯5502

提供一种粘合带用薄膜，其为在基材薄膜上设置有非粘合层的粘合带用薄膜，其能够有效地抑制在利用负压吸附固定在固定用底座上进行切割等时出现因底座发热等引起的过度密合，另外，通过在基材薄膜上设置非粘合层，可有效地抑制卷状形态下的粘连，在从卷状的形态退卷时不会发生断裂或破损，该非粘合层与该基材薄膜的融合性良好，对拉伸等变形的追随性良好。此外，还提供一种包含这样的粘合带用薄膜的粘合带。本发明的粘合带用薄膜在塑料薄膜的一面具备非粘合层，该非粘合层的表面具有凹凸结构，该非粘合层的表面的凸部分的由纳米压痕计得到的80℃下的压痕硬度为6.0MPa以上。对于在半导体的切割中使用的粘合带的基材薄膜而言，要求半导体制造工艺特有的扩展(拉伸)特性和高度差追随特性。即，在半导体的切割中使用的粘合带的基材薄膜需要在扩展工序中能够良好地拉伸，另外，需要良好地追随半导体的高度差。作为符合这样的要求的基材薄膜，选择由伸长率大的材料形成的基材薄膜。但是，这种基材薄膜的表面状态容易受到温度的影响。因此，即使像专利文献I所报道的那样将基材薄膜的表面的中心线表面粗糙度Ra控制为规定的大小，也存在如下的问题:由于气温、工艺装置的温度变化，被控制为规定的大小的中心线表面粗糙度Ra大幅变化，无法表现出专利文献I中记载的发明的效果。通常薄膜表面平滑，若将这样的薄膜加工成卷状，则发生薄膜彼此接触而密合的现象，即粘连。在产生了粘连的卷中，有时发生将薄膜进行退卷的操作变困难等不便。尤其，在伸长率大的薄膜中，通常添加有增塑剂。在这样的薄膜中，增塑剂在薄膜表面析出，从而薄膜间的微小空隙被填埋，因此，粘连导致的不良影响变明显。对薄膜表面实施利用粘合剂的粘合加工时，由于该粘合剂本身具有密合性，因此，粘连的不良影响变得更大。将粘连的卷状的薄膜进行退卷时，需要多余的、用于解除薄膜彼此的密合的力。由于施加这种多余的力，薄膜伸长而变形，或者即使薄膜不变形也以应力应变的形式蓄积。若将因如上所述的原因而变形的薄膜应用于粘合带，则难以追随被粘物地贴合。另外，若将因如上所述的原因而蓄积了应力应变的薄膜应用于粘合带，则由于贴合于被粘物之后产生该应力应变的自然释放，有被粘物破损的担心。在半导体加工中使用粘合带时，作为被粘物的半导体晶圆由脆性的材料构成，因此会发脆或者容易有缺损。因此，若将因如上所述的原因而变形的薄膜应用于粘合带，则难以追随半导体晶圆的微细精致的电路图案而贴合。另外，若将因如上所述的原因而蓄积了应力应变的薄膜应用于粘合带，则贴合于半导体晶圆之后产生该应力应变的自然释放，半导体晶圆容易破损。