HDPE齐鲁石化聚乙烯6098粉

HDPE齐鲁石化聚乙烯6098粉

在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
在玻璃衬底或电池衬底上制备载流子传输层，并在载流子传输层上蒸镀金属卤化物薄膜，使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，提高钙钛矿薄膜的质量，再在钙钛矿薄膜上制备第二载流子传输层，以及制备电极获得太阳电池，其中，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤素表面富集少，能够有效提高太阳电池的转换效率。
通过控制沉积的基板温度或真空腔室的内壁温度对薄膜加热至200℃，沉积速率为碘化铅薄膜中碘化铅晶粒呈球状，粒径的尺寸范围在100nm-190nm，孔隙率约为40％，可选的，为了提升电池效率，在蒸镀碘化铅的同时可以共蒸csi(碘化铯)，共蒸速率为
在正反面采用热蒸发的方式分别沉积500nm的ag电极，获得样品电池2。
钙钛矿/异质结叠层电池的结构包括异质结底电池1、透明导电层2、空穴传输层3、钙钛矿薄膜4、电子传输层5、缓冲层6、ito导电层7、银电极8，其中，对比电池的钙钛矿薄膜4在常温下蒸镀沉积碘化铅薄膜后旋涂有机卤化物溶液得到，样品电池1的钙钛矿薄膜4在150℃下蒸镀沉积碘化铅薄膜后旋涂有机卤化物溶液得到，样品电池2的钙钛矿薄膜4在200℃下蒸镀沉积碘化铅薄膜后旋涂有机卤化物溶液得到。

有机卤化物可以以溶液的形式与金属卤化物薄膜接触，如可以将有机卤化物按照一定浓度溶解在溶剂形成有机卤化物溶液，有机卤化物溶液可以在接触金属卤化物薄膜时向金属卤化物薄膜扩散交换，从而将金属卤化物薄膜转化为钙钛矿薄膜，在此基础上，可以采用在金属卤化物薄膜上旋涂有机卤化物溶液的方式，使有机卤化物溶液与金属卤化物薄膜接触，其中，旋涂指基于工件旋转产生的离心力及重力作用，将工件上的涂料涂覆在工件表面的过程，可以将有机卤化物溶液作为涂料在基底的金属卤化物薄膜上旋涂，此时，本领域技术人员可以根据需求选择不同的旋涂转速，以调整离心力及重力的作用效果，使得有机卤化物溶液与金属卤化物薄膜充分接触。
还可以将基底上的金属卤化物薄膜浸入有机卤化物溶液，使金属卤化物薄膜与有机卤化物溶液直接、充分接触，并且基底上另一侧不与有机卤化物溶液接触，以避免另一侧被污染，可选的，可以通过对基底的局部支撑使基底上金属卤化物薄膜的一侧漂浮在有机卤化物溶液的液面，也可以对基底另一侧进行保护再将金属卤化物薄膜浸入有机卤化物溶液。

钙钛矿电池的钙钛矿薄膜常先蒸镀金属卤化物薄膜，再旋涂甲眯氢碘酸盐等前驱体溶液使其反应形成钙钛矿薄膜，但是，蒸镀得到的金属卤化物薄膜通常为片状结构、致密度高，前驱体溶液难以充分渗透下层，导致与金属卤化物薄膜无法充分反应，使制备得到的钙钛矿薄膜中存在碘化铅残留、有机卤素表面富集等问题，影响叠层电池的转换效率。

对镀膜材料进行加热蒸发使其气化，形成的粒子沉积在基片表面凝聚成膜的工艺方法，孔隙率指表面孔隙面积与总面积的比率，其中，可以在基底上蒸镀孔隙率范围为30％-60％的金属卤化物薄膜，在该孔隙率范围中金属卤化物薄膜呈疏松多孔的状态，可选的，可以通过控制金属卤化物薄膜的沉积温度、沉积速率等参数以控制薄膜生长状态，或者，也可以依据配位溶液对金属卤化物的络合作用对金属卤化物薄膜进行预处理，从而控制金属卤化物的孔隙率。可选的，金属卤化物薄膜的孔隙率可以是30％、31％、32％、33％、35％、40％、45％、50％、55％、56％、57％、58％、59％、60％等30％-60％范围内的任意孔隙率。

将油墨丝印在本发明提供的tpu薄膜上，在薄膜面划1x1mm百格，用刀片或钳子测试油墨与tpu薄膜上之间的附着力(5b-切口的边缘光滑，格子边缘没有任何剥落；4b-切口相交处有小片剥落，划格区内实际破损不超过5％；3b-切口的边缘和/或相交处有剥落，其面积大于5％，但不到15％；2b-沿切口边缘有部分剥落或整大片剥落，和/或部分格子被整片剥落，被剥落的面积超过15％，但不到35％；1b-沿切口边缘有部分剥落或整大片剥落，和/或部分格子被整片剥落，被剥落的面积超过35％，但不到65％；0b-沿切口边缘有部分剥落或整大片剥落，和/或部分格子被整片剥落，被剥落的面积超过65％)。实施例1-5制备得到tpu薄膜，在涂覆上油墨后，油墨的附着力为0b，容易擦拭，且din磨耗小于9mm3，耐磨性能良好，拉伸强度大于110mpa，力学性能良好。而实施例6-8中淀粉和烷基糖苷的加入量均在限定范围外，导致油墨在tpu表面的附着力增强，擦拭性能下降。而对比例1和2分别没有加入淀粉和烷基糖苷，同样导致油墨在tpu表面的附着力增强，擦拭性能下降，且与实施例5相比耐磨性能也有所下降。

tpu薄膜中加入淀粉，以提高薄膜表面的亲水性能，由于常用的书写用油墨的憎水性较强，会减少淀粉在tpu表面的附着力，易擦拭，但是淀粉的加入会使tpu薄膜稳定性降低，因此加入烷基糖苷使得淀粉能与聚氨酯分子具有更强的相容性，而烷基糖苷作为非离子型表面活性剂，对油墨由有一定的吸附作用，少量添加可以降低油墨在tpu薄膜表面的流动性，使油墨可以稳定存在于tpu薄膜表面而不发生变形，同时淀粉和烷基糖苷的加入还加强了tpu薄膜的耐磨性能和力学性能。

在制备金属卤化物薄膜后，可以将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，有机卤化物可以向金属卤化物薄膜扩散交换以形成钙钛矿薄膜，此时，由于钙钛矿薄膜的孔隙率范围在30％-60％，呈现疏松多孔的状态，使得有机卤化物能通过孔径充分渗透、接触金属卤化物薄膜，使得扩散、交换充分深入，形成的钙钛矿薄膜致密、均匀，且避免了深层金属卤化物的残留，以及表面有机卤化物的富集。
在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
在蒸镀金属卤化物薄膜的过程中，可以控制金属卤化物的沉积温度以控制金属卤化物薄膜的生长，从而使得金属卤化物薄膜的孔隙率范围在30％-60％，可选地，在沉积过程中，可以对基底温度、真空腔室的内壁温度等至少一个进行控制，以使沉积温度的范围为80℃-250℃，其中，沉积温度可以是80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、110℃、120℃、130℃、150℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃、250℃等80℃-250℃中的任意沉积温度。另外，金属卤化物薄膜的孔隙率范围可对应参照前述步骤101的相关描述，为避免重复，在此不再赘述。

有机卤化物还可以以蒸气的形式与金属卤化物薄膜接触，其中，可以对有机卤化物进行加热以形成有机卤化物蒸气，并将金属卤化物薄膜置于有机卤化物蒸气的气氛中，使有机卤化物蒸气被吸附在金属卤化物薄膜上发生反应，由于金属卤化物呈现疏松多孔的状态，使得有机卤化物蒸气能够更加均匀、深入、充分的反应，有效提高制备钙钛矿薄膜的质量。可选地，可以将基底背离金属卤化物薄膜的表面贴在容器内壁、或放置在容器底面、容器内的置物台等，并在容器内放置有机卤化物，对容器进行加热使有机卤化物形成有机卤化物蒸气，使得容器内基底的金属卤化物薄膜置于有机卤化物蒸气中，背离金属卤化物薄膜的表面紧贴容器内壁、容器底面或容器内的置物台等，不与有机卤化物蒸气接触。
率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
将所述金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，以使所述有机卤化物向所述金属卤化物薄膜扩散交换形成钙钛矿薄膜。
单晶硅异质结电池可以对表面进行制绒处理形成金字塔状的绒面结构，以减少表面的发射率，提高光生载流子密度，而钙钛矿电池常采用溶液法制备，使得钙钛矿薄膜无法在绒面上共形覆盖，影响叠层电池的整体效率。本发明实施例中，在基底的绒面上先制备共形覆盖绒面的金属卤化物薄膜，再将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，进行原位反应制备钙钛矿薄膜，制备得到的钙钛矿薄膜在绒面上形成共形覆盖，从而能够保留基底的绒面结构，保证陷光效率，以保证叠层电池的光电转换效率。