HDPE天津中沙聚乙烯HD6007XA

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Ag层上可W覆盖适当折射率和厚度的介质顶层，

先采用真空锻膜技术沉积一层超薄的 化Ox层，利用其作为巧晶层，可W在更小的厚度实现连续银膜层制备，银膜层更小的厚度使 其具有更高的透明度，银膜层的连续性可W保证薄膜具有好的导电性。而且基于本发明所 制备的银膜与利用W前报道的工艺制备的同样厚度的银膜相比，其表面更加光滑、表面粗 糖度更低，从而可有效降低由于粗糖表面的光散射引起的光透过率损失，而且光滑的表面 也便于其它功能层薄膜在其上的高质量沉积。此外，本发明中化Ox/Ag双层结构薄膜由于更 倾向于层状生长，与单纯的银膜相比，其结构更加致密，因此具有更高的稳定性，例如抗氧 化性。

而且由于本 发明中起导电作用的主要是Ag层，AZO或口 0等介质层仅主要起减反射作用，不需要是结晶 很好的晶态结构，因此不需要像目前制备AZO或ITO等高质量透明导电氧化物材料所需的 200°C W上的高衬底溫度条件，在室溫条件下制备成非晶态结构薄膜即可满足需要。利用本 发明中各膜层可W在低溫下沉积运一特点，可W很容易地利用卷绕式真空锻膜技术在不耐 高溫的廉价柔性透明基材(如聚合物基材)上制备多层结构透明导电薄膜，从而可大幅降低 生产成本，并提高生产效率。与TCO薄膜相比，本发明提供的纳米多层透明导电薄膜柔初性 更好，可更加方便地应用于柔性太阳能电池、柔性显示和柔性发光二极管照明等柔性光电 子器件领域。

提供的纳米多层透明导电薄膜，还可W在基底1与CuOx层2之 间设置用于减反射、保护或增强附着力等的底层4。底层4可W为半导体或介电材料，包括 ITO层、AZO层、GZO层、Sn〇2层、Ti〇2层、W化层、Mo〇3层等。本发明所提供的纳米多层透明导电 薄膜，还可W在Ag层3上设置用于减反射、功函数匹配或保护等的顶层5。顶层5可W为ITO 层、AZO层、GZO层、Sn化层、Ti化层、W化层、Mo化层、Ni层、Au层、Ti层、Al层等中的一层或多层 的组合。

基底1可W是介质、半导体或金属基材，包括玻璃、石英、蓝宝石、娃片、不诱钢等； 也可W是有机聚合物基材，包括聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋(PEN)、 聚碳酸醋(PC)、聚氯乙締(PVC)、聚乙締(PE)、聚苯乙締(PP)、聚苯乙締(PS)、聚酷亚胺等各 种树脂膜W及具有有机无机混合结构的倍半硅氧烷为基本骨架的耐热透明膜W及层叠二 层W上树脂层而构成的树脂膜中的一种;还可W是沉积有功能层的基材，包括锻有太 阳能电池功能层的不诱钢衬底、锻有有机发光二极管功能层的有机聚合物衬底等。

纳米多层透明导电薄膜具体制备步骤如下： 步骤1:采用100皿厚的聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜作为柔性透明基材，用丙酬、乙 醇、去离子水对PET基材进行超声清洗，再用干燥化吹干，并在烤箱中加热到60°C烘烤10 分钟。

将通过步骤I清洗好的PET基材，放置于射频磁控瓣射设备真空室的基片台 上，射频磁控瓣射设备中预先装有口 0祀材，ITO祀材由Im〇3和3wt%的Sn组成。用机械累和分 子累把磁控瓣射设备腔体的真空度抽到5.OXlCT4化W下后，通入30 seem的氣气和氧气混 合气，其中氧气所占百分比为0.5%，压强调节为0.7 Pa,瓣射用射频电源频率为13.56MHz， 瓣射功率设为30 W，通过控制薄膜沉积时间得到40 nm的口0层，薄膜沉积完成后取出样品。

将步骤2锻制的样品放入电子束蒸发锻膜设备中，同时将高纯的金属Ag颗 粒(纯度99.99%)和金属Cu颗粒(纯度99.99%)分别放入电子束蒸发锻膜设备的不同相蜗中。 用机械累和分子累把电子束蒸发锻膜设备腔体的真空度抽到3. OXicr4化W下，通入4 seem的氧气，压强调节为5.OXlCT3 Pa,保持基底连续旋转W保证所沉积薄膜的均匀性，利 用电子束蒸发技术蒸锻金属Cu,获得1 nm厚的CuOx薄膜。然后关闭氧气，待电子束蒸发锻膜 设备的腔体的真空度抽到3.OXlCT4化W下后，开始利用电子束蒸发技术蒸锻金属Ag,获得 5 nm等价厚度的Ag薄膜，薄膜沉积完成后取出样品，得到PET/IT0(40nm)/CuOx(Inm)Mg (5皿）多层透明导电薄膜样品。化Ox和Ag薄膜厚度通过石英晶体振荡器实时监测 控制，并已经过台阶仪测量修正。

将步骤3锻制的样品放入射频磁控瓣射锻膜设备中，重复步骤2,在其上再 沉积40加1厚的口0层，得到本实施例1的阳1'/口0(40皿)/〇1山（1皿)/4旨（5加1)/口0(40加1) 多层透明导电薄膜样品。

 步骤1:采用100皿厚的聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜作为柔性透明基材，用丙酬、乙 醇、去离子水对PET基材进行超声清洗，再用干燥化吹干，并在烤箱中加热到60°C烘烤10 分钟。

放置于射频磁控瓣射设备真空室的基片台 上，射频磁控瓣射设备中预先装有口 0祀材，ITO祀材由Im〇3和3wt%的Sn组成。用机械累和分 子累把磁控瓣射设备腔体的真空度抽到5.OXlCT4化W下后，通入30 seem的氣气和氧气混 合气，其中氧气所占百分比为0.5%，压强调节为0.7 Pa,瓣射用射频电源频率为13.56MHz， 瓣射功率设为30 W，通过控制薄膜沉积时间得到40 nm的口0层，薄膜沉积完成后取出样品。

同时将高纯的金属Ag颗 粒(纯度99.99%)放入电子束蒸发锻膜设备的相蜗中。用机械累和分子累把电子束蒸发锻膜 设备腔体的真空度抽到3.OXlCT4化W下，利用电子束蒸发技术蒸锻金属Ag,获得5 nm等价 厚度的Ag薄膜，薄膜沉积完成后取出样品，得到PETAT0(40nm)/Ag(5nm)多层透明导电薄膜 样品。Ag薄膜厚度通过石英晶体振荡器实时监测控制，并已经过台阶仪测量修正。

考虑到CuOx层太薄将难W起到作为巧晶层促进后续银膜在低厚度下连续成膜和 降低银膜表面粗糖度的作用，太厚又会增加自身对光的吸收，从而导致整体多层结构透明 导电薄膜的光透过率明显降低，通过实验发现化Ox厚度为0.5皿~3 nm条件下所得到的纳 米多层透明导电膜的光透过率和导电性能均比较好，CuOx层的进一步优选厚度为0.5 nm~ 2 nm。实施例2中为了比较薄膜中氧原子百分比含量X对薄膜性能的影响，选取了CuOx层为 Inm的优选条件，并且在运一系列变化氧原子百分比含量X的纳米多层透明导电膜制备时保 持化Ox层厚度固定不变。

根据权利要求1纳米多层透明导电薄膜，其特征是，基底为电介质、半导 体、金属基材、有机聚合物基材或沉积有功能层的基材;电介质、半导体或金属基材具 体为玻璃、石英、蓝宝石、硅片或不锈钢。10. 根据权利要求9纳米多层透明导电薄膜，其特征是，有机聚合物基材为 PET、PEN、PC、PVC、PE、PP、PS、聚酰亚胺树脂膜、具有有机无机混合结构的倍半硅氧烷为基本 骨架的耐热透明膜以及层叠二层以上树脂层而构成的树脂膜中的一种； 沉积有功能层的基材为镀有太阳能电池功能层的不锈钢衬底或镀有有机发光二 极管功能层的有机聚合物衬底。

通过改变CuOx层沉积过程中化/(Ar+〇2)流量比可W容易地实现对 CuOx薄膜中氧原子百分比含量X的调整，表中CuOx薄膜中的氧原子百分比含量通过X射线光 电子能谱测量获得。分析表中数据可W发现，随着CuOx薄膜中氧原子百分比含量X的增加， 样品的可见光平均透过率呈现出了先增加后减小的趋势，样品的表面电阻则呈现出了先减 小后增加的趋势，即在不改变其它实验条件的情况下，存在一佳的氧原子百分比含量X， 使得所制备的纳米多层透明导电薄膜具有佳的光电性能。