PP青岛石化聚丙烯PPH-T03
有机卤化物溶液的浓度可以根据工艺条件、金属卤化物薄膜厚度、金属卤化物薄膜孔隙率等进行设置，如金属卤化物薄膜较厚、孔隙率较低时可以提高有机卤化物溶液的浓度，其中，浓度范围可以是0.5mol/ml-0.7mol/ml，如有机卤化物溶液的浓度可以是0.5mol/ml、0.51mol/ml、0.52mol/ml、0.53mol/ml、0.54mol/ml、0.55mol/ml、0.6mol/ml、0.7mol/ml等可以对有机卤化物进行加热以形成有机卤化物蒸气，并将金属卤化物薄膜置于有机卤化物蒸气的气氛中，使有机卤化物蒸气被吸附在金属卤化物薄膜上发生反应，由于金属卤化物呈现疏松多孔的状态，使得有机卤化物蒸气能够更加均匀、深入、充分的反应，有效提高制备钙钛矿薄膜的质量。可选地，可以将基底背离金属卤化物薄膜的表面贴在容器内壁、或放置在容器底面、容器内的置物台等，并在容器内放置有机卤化物，对容器进行加热使有机卤化物形成有机卤化物蒸气，使得容器内基底的金属卤化物薄膜置于有机卤化物蒸气中，背离金属卤化物薄膜的表面紧贴容器内壁、容器底面或容器内的置物台等，不与有机卤化物蒸气接触。
以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
可以通过在物理气象沉积设备中在基层的正反面利用磁控溅射法沉积电极层，其中电极层的材料包括：钼，再将沉积了电极层的基层通过真空设备共蒸发制备太阳能电池反应层，其中太阳能电池反应层可以是CIGS薄膜，即太阳能电池薄膜，具有光吸收能力强，发电稳定性好、转化效率高，白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等优点，然后在太阳能电池反应层表面制备缓冲层，缓冲层包括硫化镉，比如通过水浴法在太阳能电池反应层表面制备硫化镉层，再在硫化镉层的表面制备铟锌氧化物薄膜，之后在铟锌氧化物薄膜的表面制备一个多层透光结构，该银导电层的导电性强于其上下表面的透明导电层，但是透光性弱于透明导电层，通过将两种导电层结合起来使用，在透光性和导电性上保持均衡，提高太阳能电池的转化效率，从而提高太阳能电池的发电效率。
在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛
电池衬底可以是硅电池、铜铟镓硒电池等，硅电池可以为异质结电池、在htl上真空蒸镀沉积厚度为800nm的碘化铅薄膜，通过控制沉积的基板温度或真空腔室的内壁温度对薄膜加热至200℃，沉积速率为碘化铅薄膜中碘化铅晶粒呈球状，粒径的尺寸范围在100nm-190nm，孔隙率约为40％，可选的，为了提升电池效率，蒸发材料为c60，可选的，为了减少钙钛矿薄膜上的孔洞，蒸镀电子传输层前可以先蒸镀lif绝缘层。
常温下金属卤化物薄膜沉积在绒面上晶粒呈片状，无序分布且尺寸较大、孔隙小，使得有机卤素溶液不易渗透到薄膜内部充分接触反应。样品电池1、样品电池2可以通过控制沉积温度调控金属卤化物薄膜中晶粒大小、形状，以提高金属卤化物薄膜的孔隙率，从而改善有机卤素溶液的渗透效果。如图7所示，样品电池1在150℃沉积制备的碘化铅薄膜中碘化铅晶粒呈椭球状，粒径尺寸约在100nm-190nm，孔隙率在30-40％之间；如图8所示，样品电池2在200℃沉积制备的碘化铅薄膜中碘化铅晶粒进一步缩小呈球状，粒径缩小到了在80nm-160nm之间，而孔隙率提高到了40％以上。因而，在沉积碘化铅薄膜的过程中升高温度能够有效控制晶粒沉积的形状、尺寸，温度越高晶粒尺寸越小，晶粒形状从片状逐渐转变为类球形，且大小、分布更加均匀，孔隙率也随之逐渐增大，保证了有机卤化物溶液的充分渗透、反应，提高了钙钛矿薄膜的质量。
还可以将基底上的金属卤化物薄膜浸入有机卤化物溶液，使金属卤化物薄膜与有机卤化物溶液直接、充分接触，并且基底上另一侧不与有机卤化物溶液接触，以避免另一侧被污染，可选的，可以通过对基底的局部支撑使基底上金属卤化物薄膜的一侧漂浮在有机卤化物溶液的液面，也可以对基底另一侧进行保护再将金属卤化物薄膜浸入有机卤化物溶液。
太阳能电池作为新能源对解决能源危机及环境污染具有重要的战略意义，而硅基薄膜太阳能电池因其制备工艺简单，耗能低等优势得到了广泛的关注。
当前钢化玻璃装饰建筑物的方式极为普遍，而将太阳能电池板应用在这一领域得到广泛关注，这推动了光伏建筑一体化的发展。透明薄膜太阳能电池由于其半透明性以及具有发电的功能无疑是佳选择。
透明硅基薄膜太阳能电池均采用pin结构制备，由p层和n 层作为电极，构建内建电场，其制备工艺相对复杂，工艺条件要求较高。本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如rom/ram、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
在制备金属卤化物薄膜后，可以将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，有机卤化物可以向金属卤化物薄膜扩散交换以形成钙钛矿薄膜，此时，由于钙钛矿薄膜的孔隙率范围在30％-60％，呈现疏松多孔的状态，使得有机卤化物能通过孔径充分渗透、接触金属卤化物薄膜，使得扩散、交换充分深入，形成的钙钛矿薄膜致密、均匀，且避免了深层金属卤化物的残留，以及表面有机卤化物的富集。
并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。
有机卤化物可以以溶液的形式与金属卤化物薄膜接触，如可以将有机卤化物按照一定浓度溶解在溶剂形成有机卤化物溶液，有机卤化物溶液可以在接触金属卤化物薄膜时向金属卤化物薄膜扩散交换，从而将金属卤化物薄膜转化为钙钛矿薄膜，在此基础上，可以采用在金属卤化物薄膜上旋涂有机卤化物溶液的方式，使有机卤化物溶液与金属卤化物薄膜接触，其中，旋涂指基于工件旋转产生的离心力及重力作用，将工件上的涂料涂覆在工件表面的过程，可以将有机卤化物溶液作为涂料在基底的金属卤化物薄膜上旋涂，此时，本领域技术人员可以根据需求选择不同的旋涂转速，以调整离心力及重力的作用效果，使得有机卤化物溶液与金属卤化物薄膜充分接触。
在本实施例中，透明导电层包括：氧化铟锡；ITO，即氧化铟锡，是一种铟(III族)氧化物(In2O3)和锡(IV族)氧化物(SnO2)的混合物，通常质量比为90％In2O3，10％SnO2。它在薄膜状时，透明，略显茶色。在块状态时，它呈黄偏灰色。ITO/Ag/ITO较传统的ITO层结构相比在导电性及透过上都会有较大的提高，有利于电池性能的提高，透过率可以从85％提升到90％左右，转换效率可提升0.5％左右。
钙钛矿电池的钙钛矿薄膜常先蒸镀金属卤化物薄膜，再旋涂甲眯氢碘酸盐等前驱体溶液使其反应形成钙钛矿薄膜，但是，蒸镀得到的金属卤化物薄膜通常为片状结构、致密度高，前驱体溶液难以充分渗透下层，导致与金属卤化物薄膜无法充分反应，使制备得到的钙钛矿薄膜中存在碘化铅残留、有机卤素表面富集等问题，影响叠层电池的转换效率。
对镀膜材料进行加热蒸发使其气化，形成的粒子沉积在基片表面凝聚成膜的工艺方法，孔隙率指表面孔隙面积与总面积的比率，其中，可以在基底上蒸镀孔隙率范围为30％-60％的金属卤化物薄膜，在该孔隙率范围中金属卤化物薄膜呈疏松多孔的状态，可选的，可以通过控制金属卤化物薄膜的沉积温度、沉积速率等参数以控制薄膜生长状态，也可以依据配位溶液对金属卤化物的络合作用对金属卤化物薄膜进行预处理，从而控制金属卤化物的孔隙率。
可以在基底的绒面结构上蒸镀共形覆盖所述绒面结构的金属卤化物薄膜，可选的，可以采用蒸镀制备金属卤化物薄膜，通过控制沉积速率、沉积温度等使金属卤化物薄膜均匀地共形覆盖在基底的绒面结构上，还可以进一步控制金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，使其呈疏松多孔的状态，具体可参照前述步骤101、201的相关描述，为避免重复，在此不再赘述。
单晶硅异质结电池可以对表面进行制绒处理形成金字塔状的绒面结构，以减少表面的发射率，提高光生载流子密度，而钙钛矿电池常采用溶液法制备，使得钙钛矿薄膜无法在绒面上共形覆盖，影响叠层电池的整体效率。本发明实施例中，在基底的绒面上先制备共形覆盖绒面的金属卤化物薄膜，再将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，进行原位反应制备钙钛矿薄膜，制备得到的钙钛矿薄膜在绒面上形成共形覆盖，从而能够保留基底的绒面结构，保证陷光效率，以保证叠层电池的光电转换效率。
