天津中沙聚丙烯77MK40T高流动高熔指

化学气相沉积和原子层沉积过程中，金属化合物前驱体作为金属薄膜的反应源参与沉积，且沉积过程中均需要加热基底。即便是在相对低温的peald过程中也需要加热基底，只是温度相对会比化学气相沉积时的温度低一些。当金属薄膜沉积结束后，晶圆被从反应腔中取出并转移至下一处理腔体的过程中，不可避免地会裸露在空气中。晶圆的余温越高，生成金属氧化物薄膜的速度越快。为解决此类问题，一些半导体设备会设置冷却腔，经过冷却腔的冷却，金属薄膜的温度下降，晶圆余热会大大降低。但众所周知，金属薄膜温度降低到100℃后，需要经过较长的时间才能降低到室温。因此，实际工业生产中，为缩短工艺过程的整体时长，往往不会完全冷却到室温再取片，因此经冷却后，金属薄膜表面形成的金属氧化层的厚度虽然会降低，但依然无法完全避免。而且，对于一些非常活泼的金属，如铝，铜，镍，钛，钼等，即便在常温环境下，金属薄膜的表面依然会形成金属氧化物层。

金属薄膜表征过程中需要确定金属薄膜的纯度，即确定金属元素含量的百分比。由于金属化合物前驱体中含有大量的非金属元素，诸如氧（o），氯（cl），氮（n），氟（f）等，工艺开发阶段，需要不断调试工艺参数，金属薄膜沉积的效果还不稳定，金属化合物前驱体中的部分非金属元素会作为杂质残留在金属薄膜中，影响薄膜的电学性能（例如导致金属薄膜的电阻增大），工艺开发的各阶段需要不断地对金属薄膜中的各种成分进行分析，而金属氧化层的存在会大大增加成分分析的难度，导致工艺参数开发的难度增大，具体表现在：1）沉积时温度越高，冷却过程中金属表面形成的金属氧化层越厚，后续对金属薄膜厚度的量测精度影响越大；2）金属薄膜中含有金属前驱体的非金属元素，表面金属氧化层中的元素会和这些元素发生交互反应或相互扩散，影响对金属薄膜杂质成分的分析；3)金属化合物前驱体中含有氧元素，当沉积反应不充分，导致这些氧元素残留在金属薄膜中时，很难区分出是表面氧化层区域的氧元素还是金属薄膜区域的氧杂质。