天津中沙聚乙烯PN049-30-122RC

钙钛矿电池的钙钛矿薄膜常先蒸镀金属卤化物薄膜，再旋涂甲眯氢碘酸盐等前驱体溶液使其反应形成钙钛矿薄膜，但是，蒸镀得到的金属卤化物薄膜通常为片状结构、致密度高，前驱体溶液难以充分渗透下层，导致与金属卤化物薄膜无法充分反应，使制备得到的钙钛矿薄膜中存在碘化铅残留、有机卤素表面富集等问题，影响叠层电池的转换效率。

蒸镀指在真空条件下，对镀膜材料进行加热蒸发使其气化，形成的粒子沉积在基片表面凝聚成膜的工艺方法，孔隙率指表面孔隙面积与总面积的比率，其中，可以在基底上蒸镀孔隙率范围为30％-60％的金属卤化物薄膜，在该孔隙率范围中金属卤化物薄膜呈疏松多孔的状态，可选的，可以通过控制金属卤化物薄膜的沉积温度、沉积速率等参数以控制薄膜生长状态，或者，也可以依据配位溶液对金属卤化物的络合作用对金属卤化物薄膜进行预处理，从而控制金属卤化物的孔隙率。可选的，金属卤化物薄膜的孔隙率可以是30％、31％、32％、33％、35％、40％、45％、50％、55％、56％、57％、58％、59％、60％等30％-60％范围内的任意孔隙率。
47.步骤102、将所述金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，以使所述有机卤化物向所述金属卤化物薄膜扩散交换形成钙钛矿薄膜。
48.本发明实施例中，在制备金属卤化物薄膜后，可以将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，有机卤化物可以向金属卤化物薄膜扩散交换以形成钙钛矿薄膜，此时，由于钙钛矿薄膜的孔隙率范围在30％-60％，呈现疏松多孔的状态，使得有机卤化物能通过孔径充分渗透、接触金属卤化物薄膜，使得扩散、交换充分深入，形成的钙钛矿薄膜致密、均匀，且避免了深层金属卤化物的残留，以及表面有机卤化物的富集。
在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。