齐鲁石化聚乙烯B448H

有机卤化物还可以以蒸气的形式与金属卤化物薄膜接触，其中，可以对有机卤化物进行加热以形成有机卤化物蒸气，并将金属卤化物薄膜置于有机卤化物蒸气的气氛中，使有机卤化物蒸气被吸附在金属卤化物薄膜上发生反应，由于金属卤化物呈现疏松多孔的状态，使得有机卤化物蒸气能够更加均匀、深入、充分的反应，有效提高制备钙钛矿薄膜的质量。可选地，可以将基底背离金属卤化物薄膜的表面贴在容器内壁、或放置在容器底面、容器内的置物台等，并在容器内放置有机卤化物，对容器进行加热使有机卤化物形成有机卤化物蒸气，使得容器内基底的金属卤化物薄膜置于有机卤化物蒸气中，背离金属卤化物薄膜的表面紧贴容器内壁、容器底面或容器内的置物台等，不与有机卤化物蒸气接触。

以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。

可以是基底的一侧为绒面结构，另一侧可以是绒面结构也可以是平面结构，具体基底可以参照前述步骤101的相关描述，为避免重复，在此不再赘述。

在基底的绒面结构上蒸镀共形覆盖所述绒面结构的金属卤化物薄膜，可选的，可以采用蒸镀制备金属卤化物薄膜，通过控制沉积速率、沉积温度等使金属卤化物薄膜均匀地共形覆盖在基底的绒面结构上，还可以进一步控制金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，使其呈疏松多孔的状态，具体可参照前述步骤101、201的相关描述，为避免重复，在此不再赘述。

将所述金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，以使所述有机卤化物向所述金属卤化物薄膜扩散交换形成钙钛矿薄膜。

单晶硅异质结电池可以对表面进行制绒处理形成金字塔状的绒面结构，以减少表面的发射率，提高光生载流子密度，而钙钛矿电池常采用溶液法制备，使得钙钛矿薄膜无法在绒面上共形覆盖，影响叠层电池的整体效率。本发明实施例中，在基底的绒面上先制备共形覆盖绒面的金属卤化物薄膜，再将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，进行原位反应制备钙钛矿薄膜，制备得到的钙钛矿薄膜在绒面上形成共形覆盖，从而能够保留基底的绒面结构，保证陷光效率，以保证叠层电池的光电转换效率。

在基底上蒸镀金属卤化物薄膜，并使金属卤化物薄膜的孔隙率范围为30％-60％，以使金属卤化物呈现疏松多孔的状态，此时，将金属卤化物薄膜与有机卤化物接触，在疏松多孔的状态下有机卤化物能够充分接触、渗透金属卤化物薄膜，在有机卤化物向金属卤化物扩散交换形成钙钛矿薄膜后，使得制备得到的钙钛矿薄膜中金属卤化物残留低、有机卤化物表面富集少，钙钛矿薄膜质量高，有效提高电池的转换效率。