燕山石化聚乙烯1I2A

透明导电薄膜兼具光学透明性与导电性，可广泛应用于太阳能电池、发光二极管 及触摸屏等领域，一直是近年来的研究热点。目前应用比较广泛的透明导电薄膜主要有铜 锡氧化物(IT0)、渗侣氧化锋(AZO)等透明导电氧化物(TCO)薄膜，但其也存在一些明显的缺 点，例如力学柔初性通常较差，高质量的薄膜需要在20(TC W上的衬底溫度下制备，功函数 不易调整等。为了解决运些问题，并满足日新月异的光电器件的发展需求，开发新型透明电 极技术势在必行。

基于薄银膜的多层结构透 明导电薄膜的性能主要依赖于银层的表面形貌和厚度，然而由于银膜在常见基材上的生长 遵从=维岛状生长模式，要获得很薄且表面平滑的银膜是很困难的。粗糖的表面形貌将损 害薄膜的导电性，并由于散射和局域表面等离激元共振吸收的原因导致额外的光学损失， 当运些岛不能形成渗流路径时甚至导致薄膜不导电。尽管增加薄膜厚度能够解决薄膜的连 续性问题，但是薄膜的光学透过率不可避免的会大大降低，运使得单纯利用介质/银/介质 多层结构很难获得同时具有良好导电性和高透过率的薄膜。

为了降低薄膜的表面粗糖度， 目前广泛采用的方法是在锻制银膜之前先沉积一至几纳米的Ge等材料作为巧晶层，通过增 加 Ge巧晶层，可使得薄（10 nm左右）银膜的表面粗糖度降低超过一个数量级。然而，作为巧 晶层的Ge等材料通常在可见光范围内具有较高的吸收系数，而且超薄的巧晶层自身通常也 是不连续的岛状结构，对光有较强的散射作用，运些因素会使得运种双层膜的光透过率明 显降低，阻碍了透明导电薄膜光电性能的进一步改善。

在平滑Cu膜层上沉积的Ag膜会比直接在Si化、PET等基材 上沉积的Ag膜更加平滑，可W获得逾渗厚度阔值更低的连续Ag膜，即：Cu膜适合作为后续Ag 膜生长的巧晶层。2、通过在Cu膜生长初期对少量铜的氧化，可W有效抑制在薄膜生长表面 纳米尺寸化团簇的迁移，进一步增加成核密度，从而显著改善所沉积化层对基材的润湿性， 使得薄膜更倾向于W二维层状模式生长。