LDPE燕山石化聚乙烯1I50A

为了提高光刻胶的疏水性，可在涂膜时加入一定比例的具有疏水功能的光刻胶树脂。光刻胶树脂涂膜工艺通常将具有疏水性能的树脂与普通的不具备疏水性能的光刻胶树脂按一定比例混合溶解后进行涂膜，这种涂膜方式在一定程度上提高光刻胶树脂的疏水性，但是由于具有疏水功能的树脂与普通光刻胶树脂存在相容性差，混合溶解不均等问题，得到的光刻胶膜的疏水性能差。

所述基层光刻胶树脂溶液滴加到硅片上，以600转/分钟～3000转/分钟的转速进行旋涂，将旋涂后的硅片在90℃～120℃下烘烤50s～500s，得到基层光刻胶树脂薄膜；
8.将所述疏水型光刻胶树脂溶液滴加到所述基层光刻胶树脂薄膜上，以600转/分钟～3000转/分钟的转速进行旋涂，将旋涂后的所述基层光刻胶树脂薄膜在90℃～120℃下烘烤50s～500s，得到疏水光刻胶薄膜。

薄膜是一种宽带隙氧化物半导体材料，它同时具备了良好的透明性和导电性。这种材料已经被广泛地应用到显示器、触摸板、led发光器件、太阳能电池和晶体管等器件上。在众多的透明导电氧化物中，氧化铟锌(izo)薄膜具有高的迁移率和透过率被得到广泛研究。即使在非晶态也能保持很高的迁移率，这对薄膜在光电器件中的应用有很大帮助，能够有效的应用到柔性器件中。但是非晶izo薄膜价带顶以上存在着大量的深能级缺陷，这些缺陷的存在会严重影响薄膜的光电性能，将ga元素掺杂在izo薄膜中，能够有效降低深能级缺陷，从而提高薄膜的迁移率。

常用的igzo薄膜的制备包括：磁控溅射、脉冲激光沉积、真空蒸发和溶胶-凝胶法。每种制备方法都有各自的优缺点，磁控溅射镀膜沉积速率快、薄膜致密度高以及均匀性好被广泛使用，但是制备氧化物薄膜时通常需要对基底加热，对薄膜进行热退火处理，从而提高薄膜的性能，然而进行大面积溅射时，在溅射镀膜设备中对每个样品台添加大型退火设备价格昂贵，然而在大气环境下退火处理时，大气中的水分会严重薄膜的质量，因此为了提高薄膜质量以及降低镀膜成本，需要对上述方法进行改善。

高透光igzo薄膜的制备方法及其应用，其采用磁控溅射设备在常温下溅射igzo薄膜，通过调节溅射功率和氧气和氩气比，同时增加了干燥空气条件下退火处理过程，且在降低薄膜制备成本的同时，能够有效提高薄膜的透过率和迁移率。
高透玻璃衬底清洗：将高透玻璃依次放置在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗各20min，将超声清洗完成后的高透玻璃用氮气吹在薄膜制备过程中，改变了薄膜的制备的溅射功率和氧气和氩气比，并且增加了干燥空气条件下不同温度的退火过程。通过改变氧气与氩气的流量比以及干燥空气退火处理后的igzo薄膜既能够有效的产生浅能级氧空位，减少深能级缺陷，提高薄膜的载流子浓度和迁移率，又能够有效的排除水分对薄膜的影响。同时退火后的igzo薄膜仍然为非晶薄膜，因此能够有效的减少晶界对载流子迁移率的影响，进一步提高薄膜质量。
又能够提高薄膜的迁移率和透过率。因此本发明有效的降低了镀膜成本和提高了薄膜的光电性能。终制备的非晶薄膜a-igzo薄膜平均粗糙度ra为0.15nm，平均透过率达到90％。
将镀膜完成的样品放入管氏炉中，持续通入干燥的空气，排除水氧对薄膜的影响，升温40min至150℃，保温1h，待样品冷却后，取出样品。
所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。

为了保护聚酯薄膜不受水解、热、光等因素的影响，防止老化，并延长聚酯薄膜的寿命，以前提出过多种保护聚酯薄膜的措施，其方法都是在薄膜两面结合保护层，这些保护层为涂料、纸、聚酯纤维纸等。过去都只局限于简单地通过胶粘剂将保护层材料粘接起来，这种结构使得所形成的复合材料结构疏松、厚度公差大、紧密度低，从而不能有效地保护聚酯薄膜。这种复合材料对于绝缘等级较高的电机、电器不能适用，降低了复合材料的使用特性。