LDPE燕山石化聚乙烯1I2A-1

解决当前钙钛矿薄膜制备工艺制备的钙钛矿薄膜的粒径不均、制备速度慢、可重复性低等问题，并由本发明的制备方法进一步提高钙钛矿薄膜的致密度和薄膜的均匀性，从而提高终钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。本发明还包括相应的钙钛矿太阳能电池。

一种钙钛矿薄膜的制备方法，其通式为apbi3，a为正一价的有机离子或金属阳离子或有机离子与金属阳离子的组合离子，其制备方法为：将碘化物ai与碘单质i2反应生成高活性的ai3-，利用高活性的ai3-可以与金属pb通过快速氧化还原反应生成钙钛矿薄膜apbi3；其中碘化物ai、金属pb均以薄膜的形式参与反应。

一种基于原子层沉积技术的氮化钽薄膜的制作工艺，通过增加nh3等离子体处理基底、ar等离子体处理氮化钽薄层及将旋转基底的步骤，用来减少氮化钽薄膜中的孔洞；但是该专利未对薄膜的硬度进行提升及改进。专利cn 112562946 a提供了一种氮化钽薄膜电阻及其制备方法，采用磁控溅射法形成依次堆叠的氮化钽层及钝化层的复合结构，从而通过钝化层可对氮化钽层进行保护；然而该专利制备的薄膜在实际运用中可能存在界面结合较差的问题，由于晶相结构的不协调可能会降低保护层的使用寿命。

(1)增强氮化钽薄膜的抗氧化性能、耐腐蚀性能，提升薄膜的硬度；(2)优化薄膜层间界面的结合性能。

具备高熔点、高硬度，有一定化学稳定性，能够抵抗水汽的侵蚀，因此被广泛应用于制备片状电阻。不同晶体构型的氮化钽性质差别巨大，如ε-氮化钽为黑色的六方结晶，δ-氮化钽为黄绿色的立方结晶；ε-氮化钽相比于δ-氮化钽具备更高的熔点，而后者的硬度可达3200kg/mm2，远高于ε-氮化钽的1100kg/mm2。

所述氮化钽薄膜为抗氧化氮化钽薄膜、高硬度氮化钽薄膜中的任意一种。

为了提升氮化钽薄膜的硬度，防止因磨损产生的损耗，发明人在氮化钽薄膜的表面制备了一层氧化锆膜。氧化锆熔点高、电阻率大，热膨胀系数低，硬度高于ε-氮化钽，作为保护层有良好的综合性能，并且不会影响基材的使用。发明人发现，氧化锆层和氮化钽薄膜的结合与两层间的相结构密切相关，而相结构会收到层厚度的影响；氧化锆层的临界厚度应低于氮化钽薄膜厚度的8％，氧化锆层过厚会导致两相的连续性被破坏，接触面的晶体结构发生变化，致使氧化锆层的硬度等性能下降。发明人控制氧化锆的厚度，有利于共格界面的稳定；同时发明人还发现，斜方晶系的氧化锆的(111)面与六方晶系的ε-氮化钽的(0002)面形成共格相界，此共格相界与氧化锆的(111)面与ε-氮化钽的(111)面形成共格相界相比具有更好的能量优势，有助于相界面的稳定。

薄膜电致发光中，一种发光形式是在电场下利用非晶半导体Si化加速电子，使电 子成为过热电子，过热电子直接碰撞有机发光材料，实现有机材料的发光，称之为固态阴极 射线发光。在固态阴极射线发光中，非晶半导体Si化加速电子的二次特性是重要的理论基 础之一。

非晶半导体Si化薄膜电子迁移率是表征其加速电子的二次特性的重要参数。对于 一般的无机半导体材料，载流子迁移率的测量可利用霍尔效应测量方法。霍尔效应测量方 法，主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。在霍尔效应测量方法中，样品需为 规则的长方体薄片形状，长度、宽度为cm量级，而厚度为l(T3cm量级。测量时在垂直薄片方向 需加一较强的外磁场。

但对于利用真空薄膜制备技术制备出可实现霍尔效应测量的宏观体 材料是不现实的、不经济的，若采用工业化生产的符合实际测量要求尺寸的体材料，则由于 制备技术、制备条件、渗杂条件等诸多方面与实际发光器件中的薄膜材料产生很大的差别。 另一方面，采用霍尔效应测量方法，测量的是载流子沿着平行于薄片表面的方向运动的迁 移率，固态阴极射线发光器件中非晶半导体Si化电子的运动方向是垂直于薄膜表面，电子 的运动距离很短，二者的运动环境不同，因此用霍尔效应测量方法得出的迁移率和固态阴 极射线发光器件中的真实情况不相同，会产生较大的误差。非晶半导体Si化加速电子的二 次特性同制备方法、渗杂等因素有很大关系。例如纯净的Si化是绝缘体，而非半导体。
其特征是，可W采用W下步骤： (1) 制备固态阴极射线发光器件：取基片IT0玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在 IT0玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体Si化薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸 发技术制备A1背电极； (2) 在非晶半导体Si化薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩 形脉冲(方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体Si化薄膜，脉冲电压 值(高度)v，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时 的脉宽^，即电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间%; (3)由公式I?心與浸，其中1为平均漂移速度，邏为电场强度，與为迁移率， 而
，其中d为非晶半导体Si化薄膜的厚度，沪为有机发光薄膜的厚度，V为脉 冲电压值(高度），
其中^为电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间， 所W
即得出待测非晶半导体Si化薄膜电子迁移率興。
取基片IT0玻璃，清洗干净，烘干箱中干燥，然后在IT0玻璃上用电子束热蒸发方法 制备非晶半导体Si化薄膜，薄膜厚度用石英振荡膜厚检测仪测得，厚度为500nm ;发光层 MEH-PPV用甩膜技术成膜，薄膜厚度用台阶仪测得，厚度为50nm;背电极A1用热蒸发技术实 现。
1. 一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量方法，其特征是，可W采 用W下步骤： (1) 制备固态阴极射线发光器件：取基片ITO玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在 ITO玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体Si化薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸 发技术制备Al背电极； (2) 在非晶半导体Si化薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩 形脉冲(方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体Si化薄膜，脉冲电压 值(高度)V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时 的脉宽||，即电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间 (3) 由公式誓赛姆，其中1为平均漂移速度，遲为电场强度，Ji为迁移率， 而其中d为非晶半导体Si化薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度，V为脉 冲电压值(高度），，其中^为电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间， 所W即得出待测非晶半导体Si化薄膜电子迁移率與。2. 根据权利要求1所述的一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量 方法，其特征是，发光材料为有机高分子聚合物:MEH-PPV。3. 根据权利要求1所述的一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量 方法。
一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法，制作一种固态阴极射线发光器件，非晶半导体SiO2薄膜为电子加速层，发光材料为有机高分子聚合物。在器件两电极施加单向矩形脉冲电压，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO2薄膜；脉冲电压值（高度）<i>V</i>，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽<i>t</i>，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽，即电子跨越非晶半导体SiO2薄膜的跨越时间。由即导出迁移率的值，其中<i>d</i>为非晶半导体SiO2薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度。