HDPE天津中沙聚乙烯HD5503XA

一种用于薄膜生产的应力消除装置，包括固定支撑机构、至少一个振动机构和至少一个张力调节机构，所述振动机构安装在所述固定支撑机构上，用于对薄膜施加周期性震荡以消除应力；所述张力调节机构安装在所述固定支撑机构上，用于调节所述薄膜的张力；所述振动机构与所述张力调节机构配合以供所述薄膜穿过所述应力消除装置。

一种纳米多层透明导电薄膜，其特征是，包括基底、位于基底上的CuOx层及位于 CuO x层上且与CuOx层相接触的Ag层;其中，0〈x彡20%。2根据权利要求1纳米多层透明导电薄膜，其特征是，CuOx层的厚度小于3 nm，Ag层的厚度小于10 nm〇3. 根据权利要求2纳米多层透明导电薄膜，其特征是。根据权利要求1纳米多层透明导电薄膜，其特征是，CuOx中，2%彡X彡6%。根据权利要求1纳米多层透明导电薄膜，其特征是，还包括设置在基底与 CuOx层之间的用于减反射、保护或增强附着力的底层。从表中可W看出，运是由于在Cu膜生长初期对少 量铜的氧化，可W有效抑制在薄膜生长表面纳米尺寸化团簇的迁移，进一步增加成核密度， 从而显著改善所沉积Cu层对基材的润湿性，获得表面更加平滑的CuOx层，同时不影响其作 为巧晶层改善后续银层的润湿效果，运将使得后续银膜沉积时，更加容易得到逾渗厚度阔 值更低、表面更加平滑的连续Ag膜。但是在化薄膜的生长初期，过量氧原子引入会使得巧晶 层中化-O键大量增加，运会降低化O浙晶层对后续生长Ag膜的润湿性，同时随化Ox层中氧含 量的增加其电导率也会降低，因此X存在一佳的比例范围。从表1的数据可W看出，当CuOx 薄膜中氧原子百分比含量X大于0且小于20%时，所得到的纳米多层透明导电膜的可见光平 均透过率和表面方块电阻性能均比较优良，尤其是X在2%~6%范围内时，纳米多层透明导电 膜的光电性能更加，在CuOx薄膜中氧原子百分比含量X为4%时更是获得了可见光平均 透过率为90.9%、表面电阻低至5. IQ/□的高质量纳米多层透明导电膜。

金属氧化物薄膜对酸非常敏感，即便是弱酸也能快速腐蚀氧化物半导体。因此常采用刻蚀阻挡型IGZO-TFT的结构，在金属氧化物上沉积一层刻蚀阻挡层，可以在制备源漏电极时保护IGZO层不被破坏，从而提高TFT基板的性能。但是需要一次额外的光刻工艺，增加了金属氧化物IGZO TFT的制作工艺流程。传统TFT生产工艺中的曝光未对准和刻蚀偏差等影响，刻蚀阻挡层并不能做到很短，不可避免的限制了沟道的长度，从而导致增加了器件的寄生电容。

提供的具有优异抗断裂性和拉伸性etfe薄膜，为通过在etfe树脂中共混其他类型的另一种聚合物树脂，增加聚合物的空间聚集态和链段缠绕，调控etfe薄膜的结晶度，改善其力学性能。其中另一种聚合物树脂的mfr至多为50g / 10min，确保两种树脂能够均匀地共混，且至少为20g / 10min，这样加入后可以明显改善膜的均匀拉伸性。根据本发明可以制造耐断裂性和均一的拉伸性优异的膜，可以解决在传递模塑法过程中脱模膜的形变问题，提高半导体封装质量和效率。

也称为爽滑剂、抗粘连剂；常用于塑料薄膜制品的生产制备过程中，可以有效的提高薄膜的开口性能。在塑料制品的制备过程中，尤其是塑料薄膜成品收卷后，相邻的塑料薄膜间形成真空密合状态，不易分开；塑料薄膜成型后，其表面存在有大量的外露分子链，在相邻的塑料薄膜闭合后产生了大分子链之间的互相缠绕，使其难以打开。通过加入开口剂，在塑料薄膜的表面产生凹凸不平来减少薄膜之间的负压使其能够顺利的分离开来，同时，开口剂能在薄膜表面形成一层润滑膜，降低薄膜之间的摩擦系数，使其不互相粘连，阻碍了大分子链之间的相互缠绕。

塑料薄膜用开口剂母粒的制备方法，包括将载体树脂、改性无机粒子和其它助剂通过失重称加入到双螺杆挤出机中，通过螺杆的剪切、混炼使得改性无机粒子在载体树脂中分散均匀得到熔融混合物，将熔融混合物通过溶体泵增压和过滤器过滤后得到熔融物，然后将熔融物拉条，通过水槽冷却，接着连续通过除水器和热风干燥进行除水，切粒后得到所述的开口剂母粒。

其在低至5 mm的弯曲半径下弯曲100次后，表面电阻的变化均小于5%，而 可见光平均透过率在实验测量误差范围内没有明显变化。而且实施例1和2中所制备的口 0/ 化Ox/Ag/ ITO纳米多层透明导电膜，在暴露于大气放置5个月后，其表面电阻和可见光平均 透过率在实验测量误差范围内均没有明显变化，运表明所制备的纳米多层透明导电膜具有 良好的抗氧化特性。

以提高金属卤化物薄膜的孔隙率，从而改善有机卤素溶液的渗透效果。如图7所示，样品电池1在150℃沉积制备的碘化铅薄膜中碘化铅晶粒呈椭球状，粒径尺寸约在100nm-190nm，孔隙率在30-40％之间；如图8所示，样品电池2在200℃沉积制备的碘化铅薄膜中碘化铅晶粒进一步缩小呈球状，粒径缩小到了在80nm-160nm之间，而孔隙率提高到了40％以上。因而，在沉积碘化铅薄膜的过程中升高温度能够有效控制晶粒沉积的形状、尺寸，温度越高晶粒尺寸越小，晶粒形状从片状逐渐转变为类球形，且大小、分布更加均匀，孔隙率也随之逐渐增大，保证了有机卤化物溶液的充分渗透、反应，提高了钙钛矿薄膜的质量。