HDPE齐鲁石化聚乙烯QHM22F

多晶硅薄膜沉积的温度为400摄氏度-600摄氏度。例如，使用硅烷沉积多晶硅薄膜时所使用的温度可以是530摄氏度。多晶硅薄膜的沉积是采用lpcvd(低压化学气相沉积)技术沉积参杂磷多晶硅薄膜的，已经广泛用于vlsi制造。lpcvd具有沉积温度低，薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度与沉积时间呈正比，均匀性与重复性好，操作方便等优点。

所述沉积多晶硅薄膜的设备为加热炉管，所述基板通过晶舟放入加热炉管内。加热炉管可以进行批处理薄膜沉积，一次可将一百片或一百五十片晶圆放在垂直的晶舟上，同时反应沉积薄膜。在设定时间内将固定量的特殊反应气体从加热炉管的反应腔底部或喷射石英管通入反应炉内，在530摄氏度的温度下，可以在全部的晶圆表面同时沉积薄膜。

向设备内通入的磷烷的温度400摄氏度-600摄氏度。通入硅烷进行多晶硅薄膜沉积，沉积完毕后，关闭硅烷通道，继续向设备内通入磷烷，具体的，通入磷烷的时间大于10s，通入总的流量为200sccm，通入的磷烷的温度为500摄氏度。通入的磷烷经过如下反应：ph3(磷烷)→p+3h，ph3(磷烷)分解出p(磷)掺杂到sih4(硅烷)分解出的si里,通过物理掺杂，可以改善颗粒尺寸均匀性，从而改善多晶硅薄膜上的颗粒缺陷。

薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度与沉积时间呈正比，均匀性与重复性好，台阶覆盖能力好，操作方便等优点。lpcvd使用炉管机台批处理工艺，一次可将一百片或一百五十片晶圆放在垂直的晶舟上，在设定时间内将固定量的特殊反应气体从反应腔底部或喷射石英管通入反应炉内，在全部的晶圆表面同时沉积薄膜。目前掺杂磷多晶硅薄膜沉积浮栅工艺中，可能出现颗粒缺陷问题，这些颗粒缺陷在掺杂磷多晶硅薄膜沉积后无法通过当站加扫出来，造成对产品质量的影响。在本发明提供的多晶硅薄膜的沉积方法中，将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积；停止通入硅烷，对设备内通入磷烷并持续一定的时间；将基板从设备内取出。多晶硅薄膜沉积结束后，关闭硅烷，将磷烷以设定的流量继续通入设备内，通入的磷烷分解出磷掺杂到硅当中，可以改善结晶颗粒的尺寸的均匀性，从而减少多晶硅薄膜上的颗粒缺陷。

硅烷作为一种提供硅组分的气体源，可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅、各种金属硅化物。硅烷广泛应用于微电子、光电子工业，用于制造太阳电池、平板显示器、玻璃和钢铁镀层，并且是迄今世界上唯一的大规模生产粒状高纯度硅的中间产物。

所述基板包括晶圆。同样，低压力化学气相沉积法也可以在玻璃或陶瓷上通过化学气相沉积等技术形成一层多晶硅薄膜，所以，基板也可以是玻璃或陶瓷。低压力化学气相沉积法中，多晶硅能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。特别是被用在大规模生产的微机电系统和纳米机电系统(nems)、太阳能电池、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。目前通过pecvd方法得到的多晶硅薄膜的主要的化学方程式如下：sih4(g)→si(s)+2h2(g)，在多晶硅薄膜的沉积过程中，硅烷气体被分解成多种新的粒子：原子、自由基团以及各种离子等等离子体。这些新的粒子通过迁移、脱氢等一系列复杂的过程后沉积于基板上，但是可能由于结晶粒度的尺寸比较大造成颗粒叠加引起缺陷。

在本发明实施例提供的多晶硅薄膜的沉积方法中，将基板放置于用于沉积多晶硅薄膜的设备内；向设备内通入硅烷，对基板进行多晶硅薄膜沉积；停止通入硅烷，对设备内继续通入磷烷并持续一定的时间；将基板从设备内取出。多晶硅薄膜沉积结束后，关闭特气硅烷，将磷烷以设定的流量继续通入设备内，通入的磷烷分解出磷掺杂到硅当中，可以改善结晶颗粒的尺寸的均匀性，从而减少多晶硅薄膜上的颗粒缺陷。

一种氮化硅薄膜的沉积方法，所述方法采用等离子体增强化学气相沉积设备在硅片表面沉积氮化硅薄膜，氮化硅薄膜的沉积过程中，包括硅片依次经过等离子体增强化学气相沉积设备的进料腔、预热腔和工艺腔的过程，控制进料腔和预热腔的温度均分别随时间延长而升高，记进料腔的低温度、进料腔的高温度、预热腔的低温度、预热腔的高温度。