LLDPE齐鲁石化聚乙烯7042粉

真空薄膜制备技术制备出可实现霍尔效应测量的宏观体 材料是不现实的、不经济的，若采用工业化生产的符合实际测量要求尺寸的体材料，则由于 制备技术、制备条件、渗杂条件等诸多方面与实际发光器件中的薄膜材料产生很大的差别。 另一方面，采用霍尔效应测量方法，测量的是载流子沿着平行于薄片表面的方向运动的迁 移率，固态阴极射线发光器件中非晶半导体Si化电子的运动方向是垂直于薄膜表面，电子 的运动距离很短，二者的运动环境不同，因此用霍尔效应测量方法得出的迁移率和固态阴 极射线发光器件中的真实情况不相同，会产生较大的误差。非晶半导体Si化加速电子的二 次特性同制备方法、渗杂等因素有很大关系。例如纯净的Si化是绝缘体，而非半导体。
[0004] 由于非晶半导体Si化为无机薄膜，本身不发光，故其迁移率测量不能利用有机半 导体材料所采用测定飞行时间的方法，也不能采用在频率域内测量的方法(例如，专利申请 号为200510086781.1，专利名称为"在频率内测量有机半导体载流子迁移率的方法"的专 利)。
 (1) 制备固态阴极射线发光器件：取基片IT0玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在 IT0玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体Si化薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸 发技术制备A1背电极； (2) 在非晶半导体Si化薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩 形脉冲(方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体Si化薄膜，脉冲电压 值(高度)v，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时 的脉宽^，即电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间%; (3)由公式I?心與浸，其中1为平均漂移速度，邏为电场强度，與为迁移率。
取基片IT0玻璃，清洗干净，烘干箱中干燥，然后在IT0玻璃上用电子束热蒸发方法 制备非晶半导体Si化薄膜，薄膜厚度用石英振荡膜厚检测仪测得，厚度为500nm ;发光层 MEH-PPV用甩膜技术成膜，薄膜厚度用台阶仪测得，厚度为50nm;背电极A1用热蒸发技术实 现。
一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量方法，其特征是，可W采 用W下步骤： (1) 制备固态阴极射线发光器件：取基片ITO玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在 ITO玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体Si化薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸 发技术制备Al背电极； (2) 在非晶半导体Si化薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩 形脉冲(方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体Si化薄膜，脉冲电压 值(高度)V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时 的脉宽||，即电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间 (3) 由公式誓赛姆，其中1为平均漂移速度，遲为电场强度，Ji为迁移率， 而其中d为非晶半导体Si化薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度，V为脉 冲电压值(高度），，其中^为电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间， 所W即得出待测非晶半导体Si化薄膜电子迁移率與。2. 根据权利要求1所述的一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量 方法，其特征是，发光材料为有机高分子聚合物:MEH-PPV。3. 根据权利要求1所述的一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量 方法，其特征是，发光材料为有机高分子聚合物:PPV。
一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法，制作一种固态阴极射线发光器件，非晶半导体SiO2薄膜为电子加速层，发光材料为有机高分子聚合物。在器件两电极施加单向矩形脉冲电压，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO2薄膜；脉冲电压值（高度）<i>V</i>，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽<i>t</i>，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽，即电子跨越非晶半导体SiO2薄膜的跨越时间。由即导出迁移率的值，其中<i>d</i>为非晶半导体SiO2薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度。

经双向拉伸成型的聚四氟乙烯微孔薄膜可形成“原纤-结点”的微观结构，由大量微孔组成，加上聚四氟乙烯材料本身具有耐酸碱、耐腐蚀、耐高温等特性，因此广泛用于空气和水过滤净化领域。但在水过滤领域，需要亲水性的薄膜，聚四氟乙烯本身具有强疏水性，因此需要亲水改性。目前关于PTFE材料表面亲水化改性的方法已有大量报道。主要方法有化学接枝亲水基团法、高能辐射(电子束等)引发接枝亲水基团法、等离子体作用引入表面羟基和羧基等方法。

在高功率激光薄膜制备领域，实现低缺陷低吸收的终端光学薄膜元件制备，可以提高该薄膜元件在紫外纳秒波段的抗激光损伤性能，从而有效提升惯性约束核聚变装置中激光系统的输出功率和使用寿命。研究者分别围绕薄膜材料、膜系、制备工艺等方面出发去提升薄膜元件的抗损伤性能，并大力发展缺陷表征探测技术来实现低缺陷低吸收薄膜制备。从现有研究成果来看，通过制备高带隙和低吸收低缺陷的高折射率薄膜材料，是获得高阈值薄膜元件的有效途径。氧化铝薄膜材料是一种极具潜力的高折射率氧化物薄膜材料，与当前成熟的氧化铪薄膜材料相比带隙更高，且存在多项研究报道表明基于氧化铝高折射率薄膜材料的光学薄膜具有优越的抗损伤性能。电子束直接蒸发作为传统的高功率氧化物薄膜制备方法，然而，在制备氧化铝薄膜材料时，所制备的氧化铝薄膜材料存在节瘤喷溅和紫外吸收较强的问题，远未达到氧化铝薄膜材料抗损伤性能应有的水平。对电子束蒸发工艺的研究集中在如何改善氧化铝薄膜的蒸发喷溅问题，并降低所制备氧化铝薄膜材料的紫外吸收性能和缺陷密度。