HDPE 独山子聚乙烯UHXP-4808

提供一种纳米压电纤维薄膜材料，该纳米压电纤维薄膜材料包括基体材料和增强体材料，增强体材料分散在基体材料中，基体材料包括70～100质量份的聚(偏氰乙烯/醋酸乙烯酯)，增强体材料包括2～15质量份的二维纳米压电材料。

薄膜晶体管阵列(tft array)的栅极(gate)是在两层薄膜结构上蚀刻而来的。两层薄膜结构包括隔离层和沉积于该隔离层上表面的金属层。隔离层的材料通常为氧化铟锡(ito)，金属层通常为铜等金属材料。

由于这两层薄膜结构的组成成分不同，就需要使用不同的蚀刻液分别对这两层进行蚀刻。常常先采用铜蚀刻液蚀刻铜层，在铜层蚀刻完毕后再换用另外一种ito蚀刻液蚀刻ito层，这就需要两步法进行蚀刻。两步蚀刻法需要设有前蚀刻液的去除、蚀刻界面的清洁以及后蚀刻液的添加等工序，因此，蚀刻步骤较为繁琐，蚀刻时间较长，并且用于清洁蚀刻界面的清洁液的用量也较大。

在于提供一种薄膜蚀刻液、蚀刻方法及其应用。本技术的一些实施例能够解决在对两层薄膜结构进行蚀刻时需要采用不同的蚀刻液进行二步法蚀刻的问题。本技术的另一些实施例能够解决在对铜层等金属层进行蚀刻时随着蚀刻过程的进行蚀刻液中的双氧水成分会加速分解的问题。本技术的其它一些实施例还能够解决上述任意技术问题的结合。将压电薄膜里的分子沿着电场分布整齐地排列，达到使压电薄膜呈现压电特性的效果。目前，压电薄膜的极化处理大都使用电晕放电(corona discharge)技术来提供电子来源。在一些采电晕放电技术的极化设备中，电子会先经过具有负性高电压网(grid)才到待极化的表面。

当压电薄膜开始呈现压电效应后，在压电薄膜的表面上所累积的电荷持续提供高电场的环境，会造成压电薄膜伸缩，使得压电薄膜的表面的平整度难以维持。另外，压电薄膜的伸缩导致压电薄膜产生高低起伏，如此使得压电薄膜表面越接近电极，而提高了压电薄膜被击穿的机率。由于压电薄膜的表面不平整与被击穿为极化过程常发生的瑕疵且属于不可修复的瑕疵，因此必须加以预防才能降低这类瑕疵发生的机率。提供一种压电薄膜的极化方法，其在压电薄膜极化前先进行除泡处理，以去除压电薄膜与导电基材之间的气泡。借此，极化压电薄膜时，可提高压电薄膜的表面的平整性，并可避免压电薄膜被击穿，还可提高压电薄膜的极化均匀性，进而可大幅提升压电薄膜的极化品质与良率。