PP天津联合聚丙烯T30S
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一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量方法，其特征是，可W采 用W下步骤： (1) 制备固态阴极射线发光器件：取基片ITO玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在 ITO玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体Si化薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸 发技术制备Al背电极； (2) 在非晶半导体Si化薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩 形脉冲(方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体Si化薄膜，脉冲电压 值(高度)V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时 的脉宽||，即电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间 (3) 由公式誓赛姆，其中1为平均漂移速度，遲为电场强度，Ji为迁移率， 而其中d为非晶半导体Si化薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度，V为脉 冲电压值(高度），，其中^为电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间， 所W即得出待测非晶半导体Si化薄膜电子迁移率與。2. 根据权利要求1所述的一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量 方法，其特征是，发光材料为有机高分子聚合物:MEH-PPV。3. 根据权利要求1所述的一种基于发光技术的非晶半导体Si化薄膜电子迁移率的测量 方法，其特征是，发光材料为有机高分子聚合物:PPV。
一种基于发光技术的非晶半导体SiO2薄膜电子迁移率的测量方法，制作一种固态阴极射线发光器件，非晶半导体SiO2薄膜为电子加速层，发光材料为有机高分子聚合物。在器件两电极施加单向矩形脉冲电压，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体SiO2薄膜；脉冲电压值（高度）V，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时的脉宽，即电子跨越非晶半导体SiO2薄膜的跨越时间。由即导出迁移率的值，其中d为非晶半导体SiO2薄膜的厚度，为有机发光薄膜的厚度。
pva薄膜的成膜延伸工艺划分为干法和湿发两大类。干法生产技术是指pva膜是在具有一定温度和湿度条件的蒸汽环境下进行延伸的工艺方法，早期使用这种工艺方法可以提高工艺的生产效率，使用幅宽较大的pva膜进行生产而不至于经常断膜。但这种工艺的局限性在于pva膜在延伸过程中的均匀性受到限制，因此所形成的薄膜的复合张力、色调的均匀性和耐久性不易稳定，因而在实际生产工艺中应用较少。湿法生产技术是指pva膜是在一定配比的复配液体中进行染色、拉伸的工艺方法。这种工艺方法早期的局限性在于pva膜在液体中延伸的稳定控制难度较大，容易断膜，且pva膜的幅宽受到限制。
薄膜的成膜制备工艺，包括以下步骤：
(1)pva基层的制备：称取如下重量份数的原料：pva粉末60～80份、玉米淀粉20～30份、邻苯二甲酸二丁酯10～18份、聚邻苯二甲酸二烯丙酯6～12份、稳定剂0.5～3份，加入高速混合机中搅拌混合，再加入适量去离子水使pva吸水溶胀，搅拌20～30min，通入挤出机流延成膜，得到pva基层；
非晶半导体Si化薄膜电子迁移率是表征其加速电子的二次特性的重要参数。对于 一般的无机半导体材料，载流子迁移率的测量可利用霍尔效应测量方法。霍尔效应测量方 法，主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。在霍尔效应测量方法中，样品需为 规则的长方体薄片形状，长度、宽度为cm量级，而厚度为l(T3cm量级。测量时在垂直薄片方向 需加一较强的外磁场。但对于利用真空薄膜制备技术制备出可实现霍尔效应测量的宏观体 材料是不现实的、不经济的，若采用工业化生产的符合实际测量要求尺寸的体材料，则由于 制备技术、制备条件、渗杂条件等诸多方面与实际发光器件中的薄膜材料产生很大的差别。 另一方面，采用霍尔效应测量方法，测量的是载流子沿着平行于薄片表面的方向运动的迁 移率，固态阴极射线发光器件中非晶半导体Si化电子的运动方向是垂直于薄膜表面，电子 的运动距离很短，二者的运动环境不同，因此用霍尔效应测量方法得出的迁移率和固态阴 极射线发光器件中的真实情况不相同，会产生较大的误差。非晶半导体Si化加速电子的二 次特性同制备方法、渗杂等因素有很大关系。例如纯净的Si化是绝缘体，而非半导体。
由于非晶半导体Si化为无机薄膜，本身不发光，故其迁移率测量不能利用有机半 导体材料所采用测定飞行时间的方法，也不能采用在频率域内测量的方法(例如，专利申请 号为200510086781.1，专利名称为"在频率内测量有机半导体载流子迁移率的方法"的专 利)。
可W采用W下步骤： (1) 制备固态阴极射线发光器件：取基片IT0玻璃清洗干净，烘干箱中干燥后，依次在 IT0玻璃上用电子束热蒸发方法制备非晶半导体Si化薄膜，用甩膜技术制备发光层，用热蒸 发技术制备A1背电极； (2) 在非晶半导体Si化薄膜/有机发光材料薄膜两边通过电极施加电场，电场用单向矩 形脉冲(方波）电源提供，正极接有机发光材料薄膜，负极接非晶半导体Si化薄膜，脉冲电压 值(高度)v，先用较窄脉宽（高频），然后改变脉宽t，逐步增大脉宽，直至有机发光体发光时 的脉宽^，即电子跨越非晶半导体Si化薄膜的跨越时间%; (3)由公式I?心與浸，其中1为平均漂移速度，邏为电场强度，與为迁移率。
