天津联合聚丙烯EPS30R抗冲聚丙烯

薄膜是一种体心立方铁锰矿n型半导体，其光学性能和电学性能可以用drude模型进行定量研究，ito薄膜一般具有大于可见光子能量(3.1ev)的光学禁带宽度，可见光不能引起本证激发，因而它对光不具有吸收性，对可见光透明。

传统的沉积ito薄膜采用磁控溅射方法，在低温沉积过程中，sn在ito薄膜中以sno形式存在，in在ito薄膜中以ino形式存在，导致载流子浓度偏低和膜电阻偏高。由于sno和ino自身呈暗褐色，对可见光透过率较差。而且，成膜板表面的附着性影响ito薄膜的成膜速率，成膜腔室温度过高导致成膜板的温度升高，使得ito薄膜呈多晶结构，不利于后续在低温条件下采用草酸进行刻蚀。而传统的薄膜制作工艺均存在上述问题，使得生产的ito薄膜参数要求较低，无法满足更高要求的显示屏。

有必要提供增加薄膜透过率、降低薄膜电阻以及在低温条件下具有无定型态的高参数ito薄膜，提供一种ito薄膜的制作方法。

一种ito薄膜的制作方法，包括：将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上；对成膜腔室进行抽气处理；向成膜腔室内通入工艺气体，以使成膜腔室内的气体压强为预设压强；为所述背板提供直流电；停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理。