中天合创聚丙烯PPH-T03抗紫外线聚丙烯

为了进一步保证薄膜的均匀性，根据气体运动平均分子自由程，也可根据成膜均匀性和放电过程靶材表面是否有异常，调整所述靶材与磁铁之间的距离，还调整所述靶材与所述成膜板之间的距离，通过调整上述两个距离，调整电子和二次电子与氩气分子的碰撞几率，从而使得成膜区域内产生的氩离子数量相同，即使得溅射出来的靶材原子数量相同，也即使得所述靶材原子附着于所述成膜板上的数率相等，即满足成膜速率，从而使得薄膜的厚度均匀。

上述ito薄膜的制作方法在低温条件下，先对成膜腔室内通入工艺气体，通过工艺气体清除隔离层表面的粒子，使得薄膜在成膜板上的附着性提升。次抽气处理使得成膜腔室内部达到高真空状态，该真空状态保证成膜腔室内的洁净度，减少成膜过程产生等离子体轰击与微小离子碰撞导致的能量损耗，有效降低膜质疏松多孔现象，改善薄膜的致密性。第二次抽气处理去除了薄膜表面异物，降低了因异物导致后续制程缺陷的超标率，两次的抽气处理均使得所述成膜腔室内的温度保持在低温状态，与传统制作工艺的高温状态不同，低温条件下可以有效避免了薄膜的结晶状态，从而便于后续的刻蚀工艺。此外，工艺气体包括配比的氩气、氧气以及水蒸气，其中，氧气在保证氧空穴不变的情况下，使得薄膜中的铟锡充分氧化，从而提升薄膜的透过率，而且降低了薄膜的电阻；水蒸气改变薄膜的结晶状态，使得薄膜成无定型态，便于在低温条件下采用草酸进行刻蚀，从而使得在低温条件下生产的薄膜符合更高的参数要求。

在获取ito薄膜之后，对制成的ito薄膜依次进行涂胶、曝光、显影、刻蚀等工艺流程，获得所需ito像素电极图形。上述工艺流程的制作环境保持在低温状态下，使得ito薄膜的结晶状态为无定型态，这样，便于在低温条件下的草酸刻蚀。

将ito薄膜制成tft或ltps产品之前，需要进行退火工艺，所述退火工艺的退火温度为300℃，在进行退火工艺的过程中，腔室内形成有氮气环境，例如，所述ito薄膜在氮气环境中进行45min～60min的退火操作，又如，所述ito薄膜在氮气环境中进行50min～55min的退火操作，这样，使得ito薄膜达到良好的结晶状态，晶粒尺寸达到约30nm，从而使得制成tft或ltps产品具有较高的参数性能。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。