中天合创聚丙烯S1003通用拉丝聚丙烯

所述背板与直流电源连接，直流电源为所述背板提供成膜所需要的直流电，所述成膜板接地，使得所述背板与所述成膜板之间形成电场，为了使得所述背板上的所述靶材溅射出来，直流电源为所述背板提供负电压，这样，电子撞击氩气之后，带正电的氩原子在电场力的作用下轰击所述靶材，从而使得所述靶材溅射至所述成膜板上，即使得靶材中的粒子附着于所述成膜板上，也即使得中性靶材粒子沉积于所述成膜板上。

直流电源的功率影响到薄膜的性能，在本实施例中，直流电源的功率控制在额定功率的60％～80％之间。例如，当直流电源的功率低于额定功率的60％～80％，使得所述成膜腔室内的电子能量降低，也就使得电子撞击的氩离子的数量以及能量减少，从而使得氩离子轰击靶材的能量降低，这样容易造成所述成膜板上的成膜速率降低，即造成薄膜的厚度过低，生产出的薄膜不符合要求；又如，当直流电源的功率高于额定功率的60％～80％，使得溅射功率增大，从而使得氩离子的能量过大，这样容易遭成所述靶材的开裂，而且氩离子的能量过大使得溅射的靶材粒子能量过大，造成薄膜的致密性降低。

所述靶材经直流溅射后形成于所述成膜板上，待薄膜沉积完成之后，停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，同时关闭直流电源。此时所述成膜腔室内还有残留的工艺气体，采用分子泵对所述成膜腔室进行5～10秒的二次抽气处理，将所述成膜腔室内的残留工艺气体清除，而且，二次抽气处理还可以通过气流的流动去除薄膜表面异物，避免因异物导致后续制程缺陷超标的问题。为了继续保持所述成膜腔室的低温真空状态，在另一实施例中，采用冷泵对所述成膜腔室进行5～10秒的二次抽气处理，使得在薄膜形成之后所述成膜腔室内的温度保持低温，所述成膜腔室内的压强保持真空。