齐鲁石化聚丙烯QP83N抗冲聚丙烯

所述工艺气体包括氩气、氧气以及水蒸气，其中，所述氩气作为主要气体，同时也是直流磁控溅射过程中的作用气体，即所述氩气受到电子的撞击产生正离子，所述正离子在电场力的作用下轰击所述靶材，使得所述靶材发生溅射，从而使得所述靶材溅射出来的中性原子沉积于所述成膜板上。氧气、水蒸气与氩气之间的流量配比决定了薄膜的性能，在传统工艺中，氩气与氧气的流量比为(2～7)：1，而在本实施例中，例如，氩气与氧气的流量比100:(0.5～3)；又如，氩气与氧气的流量比100:0.5，所述氧气在成膜过程中起到氧分压的作用，由于制作的是ito薄膜，所述靶材的成分中包括铟和锡两种元素，氧气的氧分压控制反应生产透明sno2和in2o3，而非暗褐色的sno和ino，即使得sn和in充分氧化，使得生产出的薄膜的透过率得到提升。在上述氩气与氧气的流量比中，随着氧气量的增大，所述薄膜的透过率增大，即所述氧气流量与透过率呈增函数关系，例如，氩气与氧气的流量比100:0.5，透过率提升2％，又如，氩气与氧气的流量比100:3，透过率提升4％。

由于sn在薄膜中的以正4价态存在，并作为n型半导体的施主能级，能提供一个电子给导带，提升了半导体特性，即提升薄膜的半导体性能，从而有效降低了薄膜的膜电阻。所述膜电阻与正4价态的sn的含量相关，而正4价态的sn的含量由于氧气的流量有关，为了使得薄膜的膜电阻达到低，例如，当氩气与氧气的流量比100:1时，薄膜的膜电阻达到低值，所述膜电阻为40ω，而且，此时的薄膜仍然保持较高的透过率，透过率为86％，而在传统工艺中，薄膜的透过率高却只能达到84％，膜电阻低也只能降低至45ω。因此，本实施例在兼顾薄膜的膜电阻达到低的情况下，保证薄膜具有高较的透过率，使得薄膜具有较高的性能。

在本实施例中，通过控制所述水蒸气的流量，改变薄膜的结晶形态，所述水蒸气在低温状态下的所述成膜腔室内，使得沉积获得的薄膜具有无定型态，即所述薄膜具有非晶结构，例如，所述氩气与所述水蒸气的流量比为100:(1～3)，又如，所述氩气与所述水蒸气的流量比为100:1，这样，配比的氩气与水蒸气使得所述薄膜保持较好的无定型态，即避免了所述薄膜出现多晶结构。