齐鲁石化聚丙烯SP179抗冲聚丙烯

一种ito薄膜的制作方法，包括：将靶材放置于成膜腔室内与成膜板相对的背板上；对成膜腔室进行抽气处理；向成膜腔室内通入工艺气体，以使成膜腔室内的气体压强为预设压强；为所述背板提供直流电；停止向所述成膜腔室内通入所述工艺气体，并对所述成膜腔室进行二次抽气处理。

所述成膜腔室内设置有相对放置的背板和成膜板，其中，所述背板与直流电源连接，为后续的成膜提供电磁场，所述背板的材质为金属，例如，所述背板为铜板，所述背板的材质便于与直流电源的连接，所述靶材作为成膜过程中原材料的供应体，即所述靶材为薄膜的原材料，所述靶材根据所需要的薄膜决定其成分，所述靶材的材质既可以为金属，也可以为非金属。所述成膜板与地连接，所述靶材设置于所述背板上，使得所述成膜板与所述背板之间形成电场，为了便于直流磁控溅射的成膜，所述背板连接的直流电源为负电压，这样，使得成膜腔室内的电子在电场力的作用下轰击所述背板上的所述靶材，使得所述靶材轰击出来的原材料分子附着于所述成膜板上。

由于所述成膜腔室设置于装载腔室内，在对所述成膜腔室进行的抽气处理之前，还需要对装载腔室进行抽气处理，对装载腔室的抽气处理使得装载腔室与所述成膜腔室之间处于低压状态，上述低压状态的压强为1pa。所述成膜腔室内设置有所述靶材以及具有所述隔离层的所述成膜板，为了使得成膜腔室内部达到高真空状态，对所述成膜腔室进行真空抽气处理，持续时间为5～10秒，这样，所述成膜腔室在真空状态下，去除了成膜腔室内部的残余气体，使得所述成膜腔室内部环境的清洁度极高，从而使得成膜过程产生等离子体轰击与微小离子碰撞导致的能量损耗降低，即使得薄膜在成膜的过程中附着的密集度提升，有效解决了膜质疏松多孔的问题，改善薄膜的致密性，使得薄膜的表面更加的紧密且平整。

在本实施例中，采用分子泵对所述成膜腔室进行抽气处理，使得所述成膜腔室内部达到真空状态。在另一实施例中，为了使得便于后续在低温条件下进行刻蚀，需要使得所述成膜腔室的温度处于一个较低的温度，而且，所述成膜板的温度过高容易造成制作的薄膜的晶粒过大，从而使得薄膜的电阻率增大，为了避免薄膜晶粒过大以及便于刻蚀，采用冷泵对所述成膜腔室进行抽气处理，既可以使得所述成膜腔室达到真空状态，有可以降低成膜腔室的温度，例如，在对成膜腔室进行抽气处理的过程中，所述成膜腔室的温度为25～50℃，又如，在对成膜腔室进行抽气处理的过程中，所述成膜腔室的温度为25℃，这样，避免了所述成膜板上的所述隔离层的温度过高而导致的薄膜分子结晶，同时也便于后续的低温刻蚀。